I-V变换电路,运放对电流互感器输出信号做转换

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 楼主| qdyr2006 发表于 2016-3-31 18:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 qdyr2006 于 2016-3-31 19:01 编辑

各位:
   本人在做电流采集电路,用到了下边的电路,图中CT2是电流互感器,5A转2.5mA,最大负载电阻20Ω;输出电流经过运放转为采集电压。这个电路目前测试时可以用的。但是存在几个问题:
    1.是这个电路怎么用虚短虚断分析?电流怎么流的?匹配电阻R69选择多大的?是R60与R45并联的吗?
    2.是R60是否可以去掉。实测R60去掉后电流可以正常采集,但是R45的电阻2.7K超出了电流互感器的带载能力了,是不是2.7K不是真正的负载?电流互感器电流怎么流?
      请各路大神协助分析下。

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Lgz2006 发表于 2016-3-31 20:06 来自手机 | 显示全部楼层
本帖最后由 Lgz2006 于 2016-3-31 20:11 编辑

R60去掉,代之以2个4148。
R69短接。
R45不是CT负荷,而“虚短”是。
Vo=R45*I2。
玄德 发表于 2016-3-31 22:26 | 显示全部楼层
本帖最后由 玄德 于 2016-3-31 22:27 编辑

很怀疑“测试可以用”是什么情况。
这电路不符合原理,两不靠谱,所以没法分析。

要么撤销R60,构成真正I/V。此时R45就是负载;
要么R60做负载,同时完成I/V转换,然后串电阻进入反相端,此时构成反相放大器。原图缺这个电阻。

R69可有可无、可大可小,听说是起到一点阻抗均衡的作用。



kamen588 发表于 2016-4-1 08:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 kamen588 于 2016-4-1 10:02 编辑

R60 去掉 构成I/V电路虚断的看 电流不经过运放 直接流向R45  Vo=R45*I = 6.75V 峰峰值的交流电压,太高 不能进入AD,要减小R45,再加后续的电压抬升电路才能进AD。 虚短的看互感器两侧电压为0 短路状态 负载为0



2.7k的电阻太大 考虑到运放的输入失调电压Vos,将被放大(1+2.7k / (R60//互感器内阻))倍
所以必须 去掉R60 减小R45

wznhust 发表于 2016-4-1 09:15 | 显示全部楼层
去掉R60,输入阻抗过大。输出电压是否已经超出电源轨?
 楼主| qdyr2006 发表于 2016-4-1 15:32 | 显示全部楼层
谢谢各位的回复。
后级输出电压进了AD芯片,输入范围10V,所以电压范围是可行的的。
这里加R60,是因为考虑电路的替代定理,互感器电流源与电阻并联等于电压源与电阻串联,所以这里等效为电压源与R60串联进入运放,不知道能否这么分析。
2楼和4楼两位老师提出的虚短,但是这个时候电流互感器的输出电流是必须要往外流的,也只能走2.7K电阻,所以,似乎负载只能是2.7K。  本人理解有限,请各位老师指导。
zyj9490 发表于 2016-4-1 17:41 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2016-3-31 20:06
R60去掉,代之以2个4148。
R69短接。
R45不是CT负荷,而“虚短”是。

r60去不去不影响电路功能,在正常反馈时,其二端电压很小,不影响精度(0.5级),还可以防止CT开路,而烧CT。R69应去,为了平衡的问题。
Lgz2006 发表于 2016-4-2 07:56 来自手机 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2016-4-1 17:41
r60去不去不影响电路功能,在正常反馈时,其二端电压很小,不影响精度(0.5级),还可以防止CT开路,而烧 ...

嗯,
R60可以存在,但一是仍按比例分流,二是不抗浪诵。不及2*4148合理。
R69可以存在,但理由不够充足。
Lgz2006 发表于 2016-4-3 19:54 来自手机 | 显示全部楼层
呵呵!
1.R60势必与“虚短”分流一个比例。
2.浪涌之下将使运放饱和而虚短失效,进而浪涌压降可能致使运放损坏。故应以2*4148限幅,而增大R60额定值无效。
3.失调,一般对交流没有影响意义,故不予认真考虑。
zyj9490 发表于 2016-4-3 20:13 | 显示全部楼层
如果浪涌,非反馈电路开环造成,当然4148强于电阻,这部分异常工业上已有成功的产品,叫CT过压保护器,直接把CT次级短路。与虚短输入电阻分流,那更不要考量了,上M的电阻(BJT输入结构),MOS,JFET的结构更加不要考量了。不存在分流问题。最多是失调电流不平衡的问题。
Lgz2006 发表于 2016-4-3 20:39 来自手机 | 显示全部楼层
值得讨论
1.浪涌电流,始于CT初级电源的负载系统。一般可靠性考虑取20倍额定毫不过份,此时运放必定饱和,“虚短”不再成立。
工程可以按20*InR60计算浪涌压降,请评价此压能否构成威胁即可。
2.相信可有CT保护器一类器件,其原理不外乎是V-I特性限压,顶格是负阻类,但都与2*4148原理无异。
结论是,既有非线甚至负阻保护,还要R60何用?
3.分流问题不是主流,弃辩。
huayuliang 发表于 2016-4-4 15:55 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2016-3-31 20:06
R60去掉,代之以2个4148。
R69短接。
R45不是CT负荷,而“虚短”是。
R45不是CT负荷,而“虚短”是


???
Lgz2006 发表于 2016-4-4 16:36 来自手机 | 显示全部楼层
huayuliang 发表于 2016-4-4 15:55
???

有何疑问么?
huayuliang 发表于 2016-4-5 19:44 | 显示全部楼层

为什么说反馈电阻不是CT的负荷?
虚短是??不考虑虚断??
 楼主| qdyr2006 发表于 2016-4-5 21:13 | 显示全部楼层
与上楼相同的疑问.

为何虚短是符合而不是反馈电阻??

这里为何不考虑虚断??
Lgz2006 发表于 2016-4-5 21:17 来自手机 | 显示全部楼层
huayuliang 发表于 2016-4-5 19:44
为什么说反馈电阻不是CT的负荷?
虚短是??不考虑虚断??

呵呵!此处我借用“虚短”名词,并非指特定元件。
“虚短”是什么?是指由红色圆圈沿箭头向右看过去的、对输入信号而言的、未饱和状态下的、【对地端阻抗近乎为零】的一种VI特性。
为何图中要包含Rf?只有Rf的存在才能获得“虚短”特性。
为何Rf不视为虚短?因为Rf明显具有很大值,若视Rf为虚短,一则易误解,二则单独一个碳膜电阻没有那么大神通。
为何不考虑“虚断”?那是由红叉处向右看过去时,才需要考虑的。
Lgz2006 发表于 2016-4-5 21:32 来自手机 | 显示全部楼层
忘了附图,补

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zyj9490 发表于 2016-4-5 22:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 zyj9490 于 2016-4-5 22:11 编辑
Lgz2006 发表于 2016-4-5 21:17
呵呵!此处我借用“虚短”名词,并非指特定元件。
“虚短”是什么?是指由红色圆圈沿箭头向右看过去的、 ...

RF是不是CT的负载,可以用测试电流源代替CT,VI/Itest,这是否作为共同的测试标准呢?也就是计算的等效电阻是0,也就是这个特性OP带来的。CT的负载是有的,只能称为虚负载,只不过这个负载效应是OP+RF带来的,因此,不能认为RF是负载。二位大神是否认可这种观点呢?
kamen588 发表于 2016-4-6 11:49 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2016-4-3 19:54
呵呵!
1.R60势必与“虚短”分流一个比例。
2.浪涌之下将使运放饱和而虚短失效,进而浪涌压降可能致使运放 ...

失调电压一般是对交流没有影响,但是它会影响输入AD的交流偏置电压,导致偏置电压过高或者过低,引起饱和
 楼主| qdyr2006 发表于 2016-4-6 13:58 | 显示全部楼层
感谢众大神的讲解
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