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电子元器件失效分析技术

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syource|  楼主 | 2016-4-17 20:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

北京汐源科技有限公司
随着电子产品、半导体产品不断的更新换代,在国家对高科技产业的大力支持下,汐源科技同时也为电子、半导体行业提供良好的保障。
汐源科技是一家以电子产品失效分析技术服务以及电子材料销售为一体的公司。
汐源科技失效分析技术:
开盖(Decap)、I/V测试、FIB电路修改、RA高低温实验、SEM/EDX检测等项目。并且提供快速封装服务。
汐源科技电子材料:
灌封胶:洛德、汉高、道康宁。广泛应用于电源、厚膜电路、汽车电池等行业。
导电胶:EPO-TEK3M
实验设备:提供X-RAYFIB、显微镜等。

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沙发
jinwenfeng| | 2016-4-18 08:27 | 只看该作者
汐源科技失效分析技术:
开盖(Decap)、I/V测试、FIB电路修改、RA高低温实验、SEM/EDX检测等项目。并且提供快速封装服务。
汐源科技电子材料:
灌封胶:洛德、汉高、道康宁。广泛应用于电源、厚膜电路、汽车电池等行业。
导电胶:EPO-TEK、3M等
实验设备:提供X-RAY、FIB、显微镜等。
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可以详细介绍一下,技术论坛做宣传,最好的方式就是普及知识,顺便也起到了宣传作用

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板凳
syource|  楼主 | 2016-5-4 14:16 | 只看该作者
开封去盖,又叫化学解剖,DECAP。分为开盖和取晶2种,是用化学腐蚀的方法将芯片的封装体去掉,从而检测晶粒的标识、绑定、版图等信息的方法。
通过这个实验,可以查看到芯片实际的情况,
1.       标识:原厂的**,设计版本号,型号代码。
2.       工艺:绑定情况,芯片损失,异常部位
3.       版图:设计版图,layout布局

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地板
syource|  楼主 | 2016-5-4 14:18 | 只看该作者
FIB电路修改:
聚焦式离子束显微镜(FIB)的利用液相镓金属的离子源,照射于样品表面以取得影像或去除物质。此种功能与FESEM (场放射性扫描电子显微镜)相似,但FIB利用镓离子撞击样品表面。搭配有机气体有效的选择性蚀刻与沉积导体或非导体。其主要应用于IC线路修正(circuit edit)、局部横切面 (cross-section), 晶粒相差特性分析等。

电路修补 (Circuit Edit)
利用聚焦离子束显微镜(FIB)来做集成电路(IC)电路修正是具有最大经济效益的应用。在不需重开光罩的前提下,FIB可节省IC设计原型(prototype) 验证的时间,增快上市时间(Time-to-market),对于IC设计者有十分大的帮助。FIB可在微米甚至奈米尺度上做选择性蚀刻与沉积导体或非导体,提供IC设计者直接修改线路的机会,以达成布局验证的目的,节省开发时间与修改经费。

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syource|  楼主 | 2016-5-4 14:22 | 只看该作者
开盖Decap针对封装产品用酸将Chip芯片上的封装塑胶去除,使Chip
芯片裸露出来,部分封装需要激光开封。
主要用途:方便后续分析(OM、EMMI、SEM、FIB、
Delayer、Probe等)。
测试标准:GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
封装类型:BGA、DIP、QFN、QFP、COB、CPS等。汐源科技
可以提供PCBA上直接针对芯片开封。

扫描电镜SEM/EDX扫描电镜(SEM)是利用静止的或在样品表面做光栅扫描的
一束精细聚焦的电子束,轰击样品表面产生各种信号,利用
电磁透镜系统成像,对固体材料进行分析的仪器。由于SEM
具有分辨率高(纳米级)、景深大而且可以从数十倍到数千
倍连续放大的功能,自问世以来就成为材料研究和失效分
析的利器。可以判断失效的模式,查找失效原因和机理。
EDX可用于表面的成分分析,可检测器件内部表面污染物
的元素分析。EDX半定量分析的准确度有限,低于0.1%的
含量一般不易检出。EDX与SEM结合使用可以同时获得表面
形貌与成分的信息。
I/V测试
主要用途:验证及量测半导体电子组件之电性参数及特性
,比如电压-电流、电容-电压特性曲线。
应用范围:1.极低的漏电流测量(例如 二极管,三极管)
;2.CMOS,双极性组件, IC 的半导体参数测量;3.开/短
路试验。
推拉力实验
Pull&Shear Teat
主要用途:测试键合丝bonding后拉断强度、焊球黏合力
,芯片与引线框架的黏合力。
聚焦离子束FIB聚焦离子束技术(FIB)是利用电透镜将离子束聚焦成非常小
尺寸的离子束轰击材料表面,实现材料的剥离、沉积、注入、
样品修改与取得图像。近年来发展起来的聚焦离子束技术(
FIB)利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工,配合扫描
电镜SEM、STEM和TEM等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳
米级分析、制造、电路修改的主要方法。此外,FIB可以侦测
来自离子束或电子束的发射电子,用于直接成像。目前已广泛
应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。

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