电源过压保护的疑问

只看该作者 · 2016-4-18 15:21

小弟最近设计一个具有过压保护的电路，看到网上使用的齐纳二极管+电阻的方式就直接拿过来用了，齐纳二极管在导通时会保持击穿电压不变化，那么还怎么控制三极管呢？第一张图的Q1的基极始终为高电平，百思不得其解，但偏偏网上还有这样的方案。第一张图是我想用的电路，第二张和第三张是网上找到的图片。只用因为NPN和PNP的区别？

只看该作者 · 2016-4-18 16:10

NPN和PNP当然有区别咯。导通条件不同啊。你用NPN不论什么时候都是导通，那还保护个啥。。过压保护你就用第二幅图的电路就行。要理解放置每个器件都是什么作用

只看该作者 · 2016-4-18 18:28

关注，求解！

2万 · 2016-4-18 20:45

对此关注看看高手如何解答

只看该作者 · 2016-4-20 21:25

我来试试
图二分析，输出采用P沟道的MOS，特点 G级驱动为高时，无输出，G级驱动为低时有输出，G级驱动为高时无输出。
当输入电压较低时，D1截止，输入电压通过R1，R4加在Q1（PNP管）基级，故Q1工作在截止状态，集电极无输出，MOS管的G级电压由R2，R3串联分压决定（R2远大于R3），由此G级电压即R3两端电压几乎为0，故MOS管导通，有输出（或者说输出增加）
当输出电压较高时，D1导通，R1，D1构成稳压管电路，保证R4左端电压为稳压管额定电压，此时R4电压加上Q1的发射结电压再加上稳压管电压等于输入电压，由此可知当输入较高时，稳压管电压恒定，R4要有较大电压降，即基级有电流流出（从发射结流向稳压管），当发射结正偏，集电结也正偏时Q1饱和导通，集电极输出高，MOS管G级驱动变高，MOS管截止，输出无（或者说输出下降）

其中D2作为钳位二极管保证Q1的发射结电压降不至于太大，损坏Q1

以上即为图二稳压的分析 PS，我是以两个极端下饱和导通和截止来分析的，属于开关状态，实际上该稳压电路是工作在线性放大状态，但原理相通。