IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

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IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

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GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度

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GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

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电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

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电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强

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电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低

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电力MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题

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电力MosFet 缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

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GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低

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GTR缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题

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这些在电力电子电路中的设计经常要考虑的，特别是大功率的负载用电电路上。

1万 · 2016-4-24 16:58

ah9b87 发表于 2016-4-23 23:26
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小 ...

这个在设计模拟电路时是非常关键的，了解这些知识的可以少走很多弯路的。