IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

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 楼主| qiangg 发表于 2016-4-23 23:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
heping517 发表于 2016-4-23 23:25 | 显示全部楼层
IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
ah9b87 发表于 2016-4-23 23:26 | 显示全部楼层
GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度
heping517 发表于 2016-4-23 23:26 | 显示全部楼层
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
ah9b87 发表于 2016-4-23 23:27 | 显示全部楼层
电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。
zb0830 发表于 2016-4-23 23:37 | 显示全部楼层
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强
zb0830 发表于 2016-4-23 23:38 | 显示全部楼层
电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
heping517 发表于 2016-4-23 23:41 | 显示全部楼层
电  力MOSFET        开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题
heping517 发表于 2016-4-23 23:41 | 显示全部楼层
电力MosFet 缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置
heping517 发表于 2016-4-23 23:42 | 显示全部楼层
GTR        耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低
heping517 发表于 2016-4-23 23:43 | 显示全部楼层
GTR缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
zhangbo1985 发表于 2016-4-24 09:42 | 显示全部楼层
这些在电力电子电路中的设计经常要考虑的,特别是大功率的负载用电电路上。
smilingangel 发表于 2016-4-24 16:58 | 显示全部楼层
ah9b87 发表于 2016-4-23 23:26
GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小 ...

这个在设计模拟电路时是非常关键的,了解这些知识的可以少走很多弯路的。
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