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菜鸟问题：什么是MOS管的高(低)端驱动？

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楼主
ecook|  楼主 | 2009-12-5 22:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电压, 接地, 栅极, google
GOOGLE了下，发现有不同的说法：
1、
低端驱动: 输入L时不通, 输入几伏时通, 有点类似于NPN管E极接地，C接负载，且负载到Vcc
高端驱动: 输入Vcc时不通, 输入Vcc减几伏时通, 有点类似于PNP管E极接Vcc，C接负载，且负载到地



  2、高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V

上面两种说法中，对于高端驱动，一个说是比VCC低几伏，一个是比VCC高几伏。请问哪种正确呢？哪位好心人能不能通俗地解释下？多谢

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沙发
yubiao885| | 2009-12-6 12:54 | 只看该作者
研究半天，没有搞懂

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板凳
lyjian| | 2009-12-6 12:59 | 只看该作者
是比VCC高还是低看用什么沟道的MOS管而已
P-MOS：比VCC低几伏
N-MOS：比VCC高几伏

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地板
ecook|  楼主 | 2009-12-6 13:12 | 只看该作者
3# lyjian
那这么说，高端驱动针对的是NMOS的管子说的，而低端驱动是针对PMOS管说的，是吗？

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5楼
zjp8683463| | 2009-12-7 09:43 | 只看该作者
NMOS驱动有时需要一个比VCC更高的电压，并不是所有NMOS都要这么做

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6楼
chunk| | 2009-12-8 10:19 | 只看该作者
NMOS PMOS 耗尽型 增强型 导通电阻为最小的条件

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7楼
电子三极管| | 2009-12-8 11:55 | 只看该作者
老衲还是最怀念刚出家时的激情澎湃......

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