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求600V的P 沟道 MOS管

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glodcity|  楼主 | 2009-12-7 10:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
PowerAnts| | 2009-12-7 11:08 | 只看该作者
不用找了,没有这种器件。N型是电子导电,P型是空穴导电,电子迁移比空穴容易得多,因此在同等的技术条件下,实现同等参数的器件,N型要比P型容易,且价格低廉许多。

要实现你所提及的这种P-MOS,相当于要实现2500V, 100A, 0.1R的N-MOS,硅限作用不可逾越,虽然1997年出现了超结理论,英飞凌在此方面已经小有成就,但总体改善还不是很大。

就算有了你所要的器件,驱动也是个大问题,建议选用高边驱动及N-MOS代替,技术十分的成熟。

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板凳
glodcity|  楼主 | 2009-12-7 11:11 | 只看该作者
哦,谢谢

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地板
呱唧呱唧| | 2009-12-7 14:05 | 只看该作者
耐压这么高哈?我一般都用100V以下的,嘿:funk:

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5
jepsun| | 2009-12-7 18:36 | 只看该作者
呵呵

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glodcity|  楼主 | 2009-12-7 20:22 | 只看该作者
谢谢各位,我改成N MOS的呀,

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XIAOYSDF| | 2010-1-25 11:37 | 只看该作者
我也在找这种,只是ID电流1A就可以了,另外有600V 1-3A的PNP三极管也行

我的邮箱XIAOYSDF@163.COM

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