我的P-mosfet发热，有什么解决的办法吗？

发表于 2007-5-20 18:46

1、我做电源，用的一个P-mosfet作为PWM的开关，P-mosfet参数Id最大为5.5A，可是我只让它过2A电流，用一会就很烫，是不是我的P-mosfet选型有问题？ 2、P-mosfet管的Rds越小越好，是吗？ 3、P-mosfet管的Id越大越好吗?这对Igs或者Vgs有什么要求吗？ 4、我看了很多P-mosfet管的资料，在选型上只是明白Vds，Vgs，Id要求的特性，不知道管子发烫与什么有关系，想减小发烫的程度，在选型上我该怎么办哪（不考虑加加散热片）？

发表于 2007-5-20 22:30

顺便问一下，你mosfet的散热片有多大？

发表于 2007-5-21 11:12

现在做了一个实验板，体积要求很小，没有加散热片，呵呵。

发表于 2007-5-21 11:15

发表于 2007-5-21 16:07

看看Q1开关后的波形。

发表于 2007-5-21 23:21

你的10UH电感是不是太小了

发表于 2007-7-8 10:51

很奇怪,我Q1使用的是si4431,电路工作起来还是可以的,只是觉得si4431的Rd很大,换了FDS6681这个内阻小的PMosfet管,结果FDS6681一上电就发热,长时间就烧糊了. 资料它们两个,FDS6681可以承受的电流更大些,可以在这样的电路中怎么不如Si4431呢?它们两个的区别在哪里呢?

发表于 2007-7-8 13:33

理论上将，只需要Q1就可以了，Q2可以不要的， 不过Q1驱动需要专用的驱动电路（电源部分需要举升电路） 这样的话，一个类似IRF540之类的就可以了

发表于 2007-7-8 14:08

看不出Q2有什么用。

发表于 2007-7-8 14:11

发表于 2007-7-8 15:29

洗耳恭听。

发表于 2007-7-9 00:42

这样肯定会热的，就看管子能否承受而已

发表于 2007-7-9 01:07

在大电流高效率场合，很常见了

发表于 2007-7-10 16:48

Ciss, 这个对驱动又要求， 

发表于 2007-7-10 16:53

有2方面， 1 导通损耗， i*i*Rdson, 2, 开关损耗，1/2*Vin*I*(Tr+Tf)*Fs ,Ciss 影响开关时间，开关频率高时，比重很大。  si4431 可能开关损耗比较小，所以发热小。

发表于 2007-7-10 22:20

代替那个续流二极管的。用L6384或者IR2111保证驱动信号正确，并且保证死区，这样只用NMOS即可。管可以选用电流大一些的，IR多的是。

我的P-mosfet发热，有什么解决的办法吗？

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你这样用，不如直接弄个lm2576之类的

no

也许你的两个管同时导通了？增加死区时间

也许是开关过程时间不够短，开关损耗大

关于10UH电感

Si4431与FDC6681

BUCK电路这样是不是有问题啊

楼上说得是

q2 相当有用

请 zhang123 详细讲讲Q2的作用

在选型上我该怎么办哪（不考虑加加散热片）？

8楼与9楼的朋友：好好看看什么叫同步整流

mosfet 的应用，还要考虑， RDSon, Ciss

mosfet 的效率，

同步整流

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