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我的P-mosfet发热,有什么解决的办法吗?

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楼主
adseeworld|  楼主 | 2007-5-20 18:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
1、我做电源,用的一个P-mosfet作为PWM的开关,P-mosfet参数Id最大为5.5A,可是我只让它过2A电流,用一会就很烫,是不是我的P-mosfet选型有问题?

2、P-mosfet管的Rds越小越好,是吗?

3、P-mosfet管的Id越大越好吗?这对Igs或者Vgs有什么要求吗?

4、我看了很多P-mosfet管的资料,在选型上只是明白Vds,Vgs,Id要求的特性,不知道管子发烫与什么有关系,想减小发烫的程度,在选型上我该怎么办哪(不考虑加加散热片)?

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沙发
hippolyta| | 2007-5-20 22:30 | 只看该作者

你这样用,不如直接弄个lm2576之类的

顺便问一下,你mosfet的散热片有多大?

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板凳
adseeworld|  楼主 | 2007-5-21 11:12 | 只看该作者

no

现在做了一个实验板,体积要求很小,没有加散热片,呵呵。

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地板
computer00| | 2007-5-21 11:15 | 只看该作者

也许你的两个管同时导通了?增加死区时间

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5
cobraking| | 2007-5-21 16:07 | 只看该作者

也许是开关过程时间不够短,开关损耗大

看看Q1开关后的波形。

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6
zishan| | 2007-5-21 23:21 | 只看该作者

关于10UH电感

你的10UH电感是不是太小了

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7
adseeworld|  楼主 | 2007-7-8 10:51 | 只看该作者

Si4431与FDC6681

很奇怪,我Q1使用的是si4431,电路工作起来还是可以的,只是觉得si4431的Rd很大,换了FDS6681这个内阻小的PMosfet管,结果FDS6681一上电就发热,长时间就烧糊了.
资料它们两个,FDS6681可以承受的电流更大些,可以在这样的电路中怎么不如Si4431呢?它们两个的区别在哪里呢?

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8
周轩| | 2007-7-8 13:33 | 只看该作者

BUCK电路这样是不是有问题啊

理论上将,只需要Q1就可以了,Q2可以不要的,
不过Q1驱动需要专用的驱动电路(电源部分需要举升电路)
这样的话,一个类似IRF540之类的就可以了

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9
maychang| | 2007-7-8 14:08 | 只看该作者

楼上说得是

看不出Q2有什么用。

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10
zhang123| | 2007-7-8 14:11 | 只看该作者

q2 相当有用

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11
maychang| | 2007-7-8 15:29 | 只看该作者

请 zhang123 详细讲讲Q2的作用

洗耳恭听。

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12
hippolyta| | 2007-7-9 00:42 | 只看该作者

在选型上我该怎么办哪(不考虑加加散热片)?

这样肯定会热的,就看管子能否承受而已

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13
qjy_dali| | 2007-7-9 01:07 | 只看该作者

8楼与9楼的朋友:好好看看什么叫同步整流

在大电流高效率场合,很常见了

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14
jasonell| | 2007-7-10 16:48 | 只看该作者

mosfet 的应用,还要考虑, RDSon, Ciss

Ciss, 这个对驱动又要求, 

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15
jasonell| | 2007-7-10 16:53 | 只看该作者

mosfet 的效率,

有2方面, 1 导通损耗, i*i*Rdson,
2, 开关损耗,1/2*Vin*I*(Tr+Tf)*Fs ,Ciss 影响开关时间,开关频率高时,比重很大。 
si4431 可能开关损耗比较小,所以发热小。

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16
zhiwei| | 2007-7-10 22:20 | 只看该作者

同步整流

代替那个续流二极管的。用L6384或者IR2111保证驱动信号正确,并且保证死区,这样只用NMOS即可。管可以选用电流大一些的,IR多的是。

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