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关于晶体管固有的“二次击穿"

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楼主
12580|  楼主 | 2009-12-15 10:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
晶体管, FET, MOS, MOSFET, os
看到：晶体管固有的“二次击穿”，而MOSFET无二次击穿的问题。 我知道这可能跟它们的内部结构或工艺有关，但感觉不是很清楚，请哪位帮忙讲解一下。

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沙发
HWM| | 2009-12-15 12:07 | 只看该作者
“二次击穿”的原因是PN结制造缺席所致，其在高压下一次击穿后由于材料不均匀性再次局部发生“二次击穿”导致器件PN结损毁。FET管的结构和BGT管不同，其“通道”中没有PN结，故不会发生“二次击穿”。

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板凳
maychang| | 2009-12-15 12:17 | 只看该作者
二次击穿问题与PN结的结构和掺杂有关，相当复杂。
实用上各厂家都在datasheet中给出了安全工作区，使用双极型功率管时需要注意管子工作状态必须在安全区内。

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地板
12580|  楼主 | 2009-12-15 12:53 | 只看该作者
嗯。谢谢楼上两位大师了。

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