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关于MOSFET驱动电路的疑问?

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tigris|  楼主 | 2009-12-15 12:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 tigris 于 2009-12-15 12:38 编辑

先在论坛里搜了一下关于mos管驱动的帖子,内容很多,但是还有些疑问。


本人想用MOSFET作为控制太阳能路灯控制器 太阳能电池与 储能元件之间的通断开关。选取的管子是IRF2807.Vgs=20V,Vgs(th)=2~4V.这两个参数有什么区别?是不是只要栅极电压高于2~4V就可以控制mos管导通?那我可以直接用单片机引脚来直接接到mos管栅极提供高低电压吗?


网上搜索到的很多三极管组成的驱动电路是保证mos开关频率用的吗?对驱动电路的原理还是不清楚,希望坛友指点一下,谢谢。

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沙发
andy2003hu| | 2009-12-15 12:38 | 只看该作者
MARK

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板凳
因特网用户| | 2009-12-15 12:41 | 只看该作者
一个是门槛电压  一个是最大电压吧
具体看datasheet的曲线
单片机直接驱动mos  速度不行  电流小了
你最好用过三极管搞的推挽电路驱动mos

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地板
maychang| | 2009-12-15 12:50 | 只看该作者
20V是GS之间允许的最大电压,超过此值管子可能损坏。
Vgs(th)=2~4V是该管的开启电压,GS之间达到此值管子开启(开始导通),但并不是管子饱和。
单片机电源如果是3V,显然不能用来驱动此管,电源为5V也不一定能够驱动该管到饱和。5V是否能驱动该管到你需要的电流,只能通过计算决定。
3楼说的单片机速度不行,应该用推挽电路驱动,要看是何类型单片机以及楼主需要的开关速度。开关频率高,就必须用很强有力的驱动,开关频率低,甚至可以用4000系列芯片驱动。

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5
awey| | 2009-12-15 18:28 | 只看该作者
要想低压驱动,可以选低Vth的MOS管,只是价格比较贵。

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6
zjp8683463| | 2009-12-15 18:42 | 只看该作者
vth只是开启mos的最低电压.
只达到vth,Io最大也受到限制.一般达到Vgs=10V左右最好.

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7
tigris|  楼主 | 2009-12-16 10:42 | 只看该作者
MOS管是电压控制器件,导通和饱和电流的要求应该不大吧?我在datasheet上没有找到导通电流?不知道该如何计算电流。Id =83A应该是击穿电压吧?

“开关频率高,就必须用很强有力的驱动”,这个驱动力是指提供给栅极的电压或电流大小吗?

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zjp8683463| | 2009-12-16 11:56 | 只看该作者
去看V-I曲线。

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9
mbutterfly| | 2009-12-16 12:19 | 只看该作者
强驱动是电流大吧.让GS间的电容充放电快,MOS输出速度才能快

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10
maychang| | 2009-12-16 12:28 | 只看该作者
7楼: MOS管参数中有一项

它表示单位门极电压变化可以引起多大漏极电流变化。

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