关于MOSFET驱动电路的疑问？

发表于 2009-12-15 12:36

本帖最后由 tigris 于 2009-12-15 12:38 编辑

先在论坛里搜了一下关于mos管驱动的帖子，内容很多，但是还有些疑问。

本人想用MOSFET作为控制太阳能路灯控制器太阳能电池与储能元件之间的通断开关。选取的管子是IRF2807.Vgs=20V,Vgs(th)=2~4V.这两个参数有什么区别？是不是只要栅极电压高于2~4V就可以控制mos管导通？那我可以直接用单片机引脚来直接接到mos管栅极提供高低电压吗？

网上搜索到的很多三极管组成的驱动电路是保证mos开关频率用的吗？对驱动电路的原理还是不清楚，希望坛友指点一下，谢谢。

发表于 2009-12-15 12:38

MARK

发表于 2009-12-15 12:41

一个是门槛电压一个是最大电压吧
具体看datasheet的曲线
单片机直接驱动mos 速度不行电流小了
你最好用过三极管搞的推挽电路驱动mos

发表于 2009-12-15 12:50

20V是GS之间允许的最大电压，超过此值管子可能损坏。
Vgs(th)=2~4V是该管的开启电压，GS之间达到此值管子开启(开始导通)，但并不是管子饱和。
单片机电源如果是3V，显然不能用来驱动此管，电源为5V也不一定能够驱动该管到饱和。5V是否能驱动该管到你需要的电流，只能通过计算决定。
3楼说的单片机速度不行，应该用推挽电路驱动，要看是何类型单片机以及楼主需要的开关速度。开关频率高，就必须用很强有力的驱动，开关频率低，甚至可以用4000系列芯片驱动。

发表于 2009-12-15 18:28

要想低压驱动，可以选低Vth的MOS管，只是价格比较贵。

发表于 2009-12-15 18:42

vth只是开启mos的最低电压.
只达到vth,Io最大也受到限制.一般达到Vgs=10V左右最好.

发表于 2009-12-16 10:42

MOS管是电压控制器件，导通和饱和电流的要求应该不大吧？我在datasheet上没有找到导通电流？不知道该如何计算电流。Id =83A应该是击穿电压吧？

“开关频率高，就必须用很强有力的驱动”，这个驱动力是指提供给栅极的电压或电流大小吗？

发表于 2009-12-16 11:56

去看V-I曲线。

发表于 2009-12-16 12:19

强驱动是电流大吧.让GS间的电容充放电快,MOS输出速度才能快

登录 · 发表于 2009-12-16 12:28

7楼： MOS管参数中有一项

它表示单位门极电压变化可以引起多大漏极电流变化。

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