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可控硅 问题

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楼主
zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-22 14:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 10:15 | 只看该作者
这输出前加个电感再加个灯泡(白炽灯),这负载我理解是感性负载,不知道对不???

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板凳
zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 11:56 | 只看该作者
:o没一个人??

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地板
chunyang| | 2009-12-23 12:23 | 只看该作者
去掉R100。

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zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 12:58 | 只看该作者
我上面说了,我没接R100

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chunyang| | 2009-12-23 13:01 | 只看该作者
A2为0是因为在零线侧的缘故。

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7
zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 13:12 | 只看该作者
G点为什么有120V呢?他也没在火线边ya ??R100没接呀!!

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chunyang| | 2009-12-23 13:28 | 只看该作者
可控硅内部结构所致,会有漏电流。

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xwj| | 2009-12-23 13:46 | 只看该作者
A1和G电位相近似对的,因为之间就一个PN结。
很明显,A2端是零线侧面。

所以现象很正常、合理啊。

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zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 15:49 | 只看该作者
我这电路的可控硅2脚是接ULN2003,1脚经过R7接12V电压。目的是控制可控硅输出调压。
我的思路是:单片机检测交流过零点后,用延时去控制光耦导通。这样使输出的正弦波为不完整的正弦波而达到调压的效果。50HZ的波,实际只有10MS的空间去延时。
可我现在的效果是不能调压,我发现我延时超过4MS,则输出就为完整的正弦波。小于3MS就只有输出正弦波的一半周期!!不知道是什么原因,可控硅没关断,还是过零点没处理好?

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zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 15:52 | 只看该作者
本帖最后由 zhiyonghe 于 2009-12-23 16:42 编辑

这是我过零点后采集的到图,即正弦波(图上的波是整流后的,所以没负半周)每过零点我就有一600US的正脉冲。我在程序里用扫描的方法去检测(中断没了),检测到这IO口有高电平我就执行给光耦导通.

0000.jpg (23.1 KB )

0000.jpg

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zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 17:10 | 只看该作者
帖也沉的太快了吧/?求助中……

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zhiyonghe|  楼主 | 2009-12-23 22:30 | 只看该作者
帮帮我呀!!!!

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14
chunyang| | 2009-12-24 14:15 | 只看该作者
应该是你的调相程序有误,过零脉冲可以触发中断,如果用查询需要注意程序结构,不能反复检测/响应同一个过零输出,检测到过零信号后要延时一段时间再检测,延时时间大于过零脉冲的宽度,小于过零脉冲的周期。

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