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MOSFET驱动电路

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沙发
janqon|  楼主 | 2007-9-13 14:37 | 只看该作者

D1

加上D1后驱动电压的波形比较平滑这里什么原因呢

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板凳
dialiy2007| | 2007-9-13 18:10 | 只看该作者

这里的D1应该是加速作用

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地板
janqon|  楼主 | 2007-9-14 11:21 | 只看该作者

是加速MOSFET的开关速度吗?

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5
lihuanjie| | 2007-9-14 11:35 | 只看该作者

加快关断速度。

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clz918| | 2007-9-15 16:25 | 只看该作者

加快放电速度

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7
maxwellpin| | 2007-9-16 20:41 | 只看该作者

如果去掉R1 D1呢?

不考虑G端电流的情况下,直连栅极是不是动作速度更快呢?请指教

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8
davidli88| | 2007-9-16 20:53 | 只看该作者

这个问题比较深刻

从原理上,去掉R1、D1,开关速度会更快。

但实际应用中,加入R1是为了保护驱动芯片,防止MOSFET栅极对地短路时,PWM因驱动电流过大损坏,从而扩大故障范围。

开关管的开通损耗比关断损耗小得多,故串入适当的电阻不会对开通损耗带来影响,而D1的加入,可避免增加关断损耗。

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9
st.you| | 2007-9-17 08:05 | 只看该作者

希望MOS慢点导通,快点截止.


这是干扰与效率的折衷.

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10
tk1209| | 2007-9-28 21:43 | 只看该作者

这个问题比较深刻?

R1可以有效的抑制高频时,因为线路电感和MOSFET输入电容产生的震荡,这个电阻在驱动引线较长的时候,非常主要。因为这个电阻的存在,势必会使MOSFET放电速度变慢,而增加关断损耗,二极管的作用就是加快放电速度,使MOSFER快速关断,8楼所说“防止因驱动电流过大损坏”毫无道理,大家都知道:MOSFET是电压控制元件,只能因为驱动过压击穿,不会因为驱动电流过大而烧毁。正相反,我们应该想方设法增加驱动电流,使MOSFET 快速饱和,减小开通损耗!!

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11
zhaohe2001| | 2007-9-29 08:55 | 只看该作者

还是楼上的解释深刻,呵呵

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12
尤新亮| | 2007-9-29 09:15 | 只看该作者

tk1209你错了

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13
zhlking| | 2007-9-29 22:41 | 只看该作者

究竟谁对谁错?继续关注~

究竟谁对谁错?继续关注~~
搬个凳子学习了.....

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14
awey| | 2007-9-29 23:03 | 只看该作者

tk1209没有考虑到MOS管输入电容较大

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15
makesoft| | 2007-9-30 11:37 | 只看该作者

davidli88说的是正确的

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16
xiaowei999| | 2007-9-30 14:38 | 只看该作者

这个问题嘛

加一个R和D1,主要是ESD防护。保护芯片不受冲击损坏,加一个电阻不会对开关速度影响很大。

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17
xiaowei999| | 2007-9-30 14:41 | 只看该作者

davidli88说的是正确的

支持一下

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18
droum| | 2007-9-30 19:37 | 只看该作者

davidli88说法错误

R1的作用是防止自激振荡。
D1一般是不需要的。只有当被驱动的场效应管Q1的关断电压太低时才用。

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19
along1980| | 2007-9-30 22:06 | 只看该作者

加快关断速度

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20
谈的元| | 2007-10-2 13:47 | 只看该作者

赞同DV



电容开始对地是可认为是 短路的,没有电阻,对驱动芯片的冲击是很大的。

D1可以加快电容放电。 管子不会太烫。


 赞同davidli88 

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