Pmos管电流流向的问题

-543 · 2009-12-27 10:54

在附件中Q1使用P沟道的MOS管，主要是为了防止电池反接。
利用mos管的寄生二极管，造成VGS大于栅源阈值而导通。
电流流向是由MOS管的D流向S,对于PMOS管一般的电流都是从S流向D,
对于衬底电平和源极连一起的PMOS管来说，一般不建议这么用吧。

对于NMOS管来说一样，电流从S流向D,好像也有这种用法。
有点不太理解，希望大侠指点一下。

3万 · 2009-12-27 11:39

MOS管导通后，DS之间是个很小的电阻，电流可以从D流向S，也可以从S流向D，而且两个方向上电阻几乎是一样大(电流相当大时才能测量出两个方向上电阻有一点差别)。此时管压降一般小于二极管导通电压，故二极管不起作用。
这一点与双极型管完全不同。双极型管不能两个方向上导通，加反向电流会使双极型管损坏。

只看该作者 · 2009-12-28 11:22

对于MOS管来说,无论是PMOS,还是NMOS,去标它的DS意义不大,除非你是在仿真.
MOS管和BJT不同的在于,BJT的c和e是物理上真实存在的,是有意义的.MOS的D和S是电气特性,在物理上D和S是完全一致的,通上电后由于电压造成了沟道才区分出DS.一般IC里中模拟MOS饱和区Vds是几百mv,线性区理论上是0,图上Q1处于线性区,做开关用,一般10/0.6的MOS管的导通电阻在百欧姆级别,和工艺,管子参数都关系很大可以用这个值和电流估算一下压降
寄生二极管存在你的PMOS管的n well和DS间, "利用mos管的寄生二极管，造成VGS大于栅源阈值而导通"不知道是什么意思,你的PMOS管的栅已经接到了地,Vba为-1左右的时候这个管子才会关闭

4万 · 2009-12-28 12:08

在这个应用中，Q1的寄生二极管帮助上电时启动Q1导通，没有这个寄生二极管，Q1将不会导通。

只看该作者 · 2009-12-28 12:19

Q1导通与否只取决去Vgs和阈值电压.这个应用中Q1的栅已经接到0电位,只需看MOS管的一端电位,就是电池是否反接.
Q1的寄生二极管是哪里的寄生二极管??这个二极管又如何帮助Q1导通??望不吝赐教

4万 · 2009-12-28 12:34

这个我也说不准，一般给出的参数Vth指的是栅源之间的开启电压，不知道是否也适合栅漏之间开启的？

不过可以做个试验，假设Q1的开启电压为Vth，图中如果Vbat电压为Vth时，MOS管导通，说明二极管
不起作用，如果Vbat大小为Vth＋0.7V时MOS管导通，说明二极管是起作用的。

只看该作者 · 2009-12-28 12:47

呵呵,MOS管中的寄生二极管模型一般多在PMOS的nwell中,防止nwell导通. 也有用MOS管做二极管的用法,那用的物理模型.有PMOS和NMOS构成CMOS后组成寄生三极管,就是latch uP了.但我个人是没有见过寄生二极管做导通用的,MOS中的寄生二极管是很避讳导通的.
MOS管没有电气特性的时候是不分源漏的,标源漏只是表明电流方向,仿真中是确定衬偏效应,MOS管其实是四端器件.
你说的实验可以做一下,照这个做法,这个二极管是接在了栅了,而现在的工艺一般是栅自对准工艺,多晶硅是不可能寄生二极管的.这种开关的MOS管我也没做过,也许有我不知道的地方,呵呵

1万 · 2009-12-28 14:29

期待实验结果。

只看该作者 · 2009-12-28 16:37

http://jnwsj2003.blog.163.com/bl ... 780200992814351655/
总觉得哪里不对,查了个资料,单颗的功率MOS和IC里的MOS是不一样的,结构和IC里的完全不一样.单颗功率MOS区分了源漏.
开始工作时漏端接Vba,二极管正向导通,源端电位Vba-Vth,栅端电位0,PMOS管导通,导通后Ron很小,源端电位拉至Vba,给MAx1614供电.
这应该是特殊的应用吧,其中二极管短暂的正向导通了,会产生一定的功耗,利用了这个寄生二极管

只看该作者 · 2009-12-28 17:20

在这里，加上VGS和VGD都可以控制MOS的导通。

-543 · 2009-12-28 21:45

实验证明是可以的的，IC里面的MOS和单功率mos管是不太一样。
带寄生二极管的功率管用在多电源切换时，还是会麻烦一点。

只看该作者 · 2013-6-15 11:35

嗯，看了各位大虾的点评，学习了很多，最近也了解了一些MOS相关电路。说下自己的看法：
1、PMOS是利用了体二极管才能导通，如果是结型管，这样是无法导通的，不认同楼上说的VGD<0也可以导通的说法，最终导通还是因为VG<VS;

2、这样的接法是无法用作开关的，能导通，但是无法关断。因为内部的体二极管，所以不管G端是什么电平，只要D端有电压，S端就会有VD-0.7v的电压。

只看该作者 · 2013-6-19 18:02

同意楼上！

只看该作者 · 2013-8-1 08:24

对于P_mos管，手册上都是写为负电流，即好电流是从s极流向d极，现在这样应用，不知道从d极流向s的电流又是多大，

只看该作者 · 2014-4-16 16:04

很有帮助

1万 · 2014-4-16 21:27

本帖最后由 zyj9490 于 2014-4-17 12:28 编辑

icecell 发表于 2009-12-28 11:22
对于MOS管来说,无论是PMOS,还是NMOS,去标它的DS意义不大,除非你是在仿真.
MOS管和BJT不同的在于,BJT的c和e ...

MOS管在应用过程中,只要VGS足够,沟道总是存在的,在沟道机理路,只要DS足够大的电压,在沟道中,存在二段路程,从S开始到夹断点叫扩散区(多子浓度高),后段叫耗尽区,反型层消失,多子浓度低,扩散区以多子扩散的方式,耗尽区以电埸迁移方式,把多子拉到D极,上述物理的应用电路上,就是放大,如果DS相等,则全沟道以扩散区,通过以上的论述,只要VGS超过VTH,表示沟道已建立,可以让电流通过,对NMOS来说,没必要VDS>0,同理PMOS,VDS<0;这就是开关电路的应用,至于放大电路,必须要有耗尽区的存在.

只看该作者 · 2014-4-17 09:33

我记得前几年论坛里有个特别火的帖子，就是关于MOS管的这种用法的，当时的问题是那个体二极管消失，热风枪一吹，又出来了的事故。LZ可以好好找找，应该有所启发。

只看该作者 · 2014-4-17 14:49

低价提供NXP LDMOSS，如BLF888，BLF578等，NXP内部价格，请邮件联系yinghao.zhuo@sohu.com

只看该作者 · 2015-9-9 10:37

happylomen 发表于 2013-6-15 11:35
嗯，看了各位大虾的点评，学习了很多，最近也了解了一些MOS相关电路。说下自己的看法：
1、PMOS是利用了体 ...

好贴，明白了。这样接不能关断。

1万 · 2015-9-10 09:24

本帖最后由 oldzhang 于 2015-9-10 09:26 编辑

最左边的PMOSFET是经典的防止左边的电池反接的电路
左边电池正接时，先靠体二极管导电，PMOSFET的获得VGS,而MOSFET导通，导通后SD之间呈低阻。
左边电池反接时，PMOSFET无法获得VGS,而保持阻断。

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