请教：ZVS与快速恢复二极管的关系？

只看该作者 · 2009-12-28 22:32

今天读到一篇论文里说，零电压开关ZVS是桥式拓扑里很合适的软开关技术，它能让MOSFET的体二级管得到应用，而不用并接快速恢复二极管。
对这个说法不是很理解，文中使用的是移向全桥，具体参数为10 kW,500 kHz Phase-ShiftControlled Series-Resonant Inverter

原文的说法：This paper describes the design and implementationof a
10 kW,500 lrHz PSC-SRT.The power level and high switching frequency leaves MOSFETs as the only present alternative for the switches'implementation.Also,soft switching is required to achieve efficient and reliable operation of the inverter.
It has been shown that zero-voltage-switching(ZVS)is the preferred soft switching technique for MOSFETs in a bridge topology because it allows the use of the MOSFETs'internal body diodes sinceno fast recovery diodes are required.

请各位高手给予指点。

只看该作者 · 2009-12-29 17:08

二极管在接反向电压的时候，在两边的空穴和电子是不接触的，没有电流流过，但是同时形成了一个等效电容（因为两边带电么，而且这个值又不为零），如果这个时候改变两边的电压方向，自然有一个充电的过程，这个时间就是二极管需要恢复的时间。
快速恢复二极管就是在PN节中间加入了I层，可以理解为让这个充电过程加速，从而达到快速恢复的功能。
如果这2点没错的话，我们要直接使用MOSFET的体二极管而并非是快速二极管，需要做到的是让开关器件的两端并没有快速变化的电压，但是ZVS并不能缩减开关的速度。它又是如何让这里不需要快速开关二极管的呢？

只看该作者 · 2009-12-30 10:20

这里对快速恢复二极管的理解可能有误，限制二极管恢复速度的限制只是本身的节电容么？

只看该作者 · 2009-12-31 15:17

也许节电容是一个方面，而有正向电压的时候，充电的电流不能加速电子的中和也是一个方面？

只看该作者 · 2009-12-31 17:08

没人发言啊:(

只看该作者 · 2010-1-1 10:39

没人关注。。。自己顶了

2万 · 2010-1-1 10:58

软开关电路靠漏感储能来给结电容包括杂散电容充电充到零V刚好
但是不可能这么巧于是储能能量便需要大些多余的能量就通过体二极管
辞放回源端二极管的钳位作用保证电容上的电压接近零V

10KW 500KC 显然只是论文而论文找不到这种磁芯的

只看该作者 · 2010-1-1 11:17

感谢PowerAnts。
10年前的论文，日本的，另外有一篇他给出了实验的效果图，6KW，2MHz的实验效果图。。。
想再咨询一下，这种磁芯是不是也很难找到啊？

只看该作者 · 2010-1-1 11:22

这里要是我直接把那个变压器给去了，不要变压器，会有什么严重的后果么？
只是不能变压，而且不能隔离。

2万 · 2010-1-1 11:30

2MC的磁芯，没见过，传说中的PC50，也只能跑1MC，而且磁通只能到800GS

就算有2MC的，你也别找了，前些日子找TDK PC40的EE70，订货周期要20周，单价40美金，国产的虽然只要28，但是质量不好。一般只能跑50KC，跑100KC要降到1000GS。

小日本，极有可能是用空芯变压器