关于三极管饱和导通

发表于 2010-7-29 21:50

学习应用中

发表于 2010-7-30 17:29

减小R5；3906换成8550。
按你说的功能，建议该电路放置于芯片复位端较好

发表于 2010-9-19 14:17

应该把R3移动Q2的集电极，否则Q2导通后，Q1的基极电位被R3、R5钳位在2.5V左右，Q1 才不能可靠导通

发表于 2010-9-24 10:30

为什么减小 R5 能提高带负载能力呢？谁解释一些呢

发表于 2010-9-28 08:55

R1上并一个电容保持三极管导通的时间，R5减小至100欧或者220欧，你看看，前级没什么负载，烧是不大可能的！

发表于 2011-10-6 15:14

学习了，各位大大

发表于 2011-10-19 22:22

真的是受教了！

发表于 2011-10-20 12:22

学习了

发表于 2011-10-20 15:56

挺好的

发表于 2011-10-20 16:28

R5 不要了 R3增大一点不是可以很容易地保证饱和了么呵呵

发表于 2011-10-20 20:12

看不到

发表于 2011-11-19 12:31

18楼说得没错，问题就是你的R1太小，使得Q2基极电压不够大，，增大R1，提高基极电压，就可以是Q2工作在饱和状态

发表于 2011-12-2 10:22

拿掉R5就好了。其它都OK。

发表于 2011-12-2 16:18

BDDE

发表于 2011-12-3 10:03

打个印

发表于 2011-12-7 16:38

减小R5的值就可以了

发表于 2011-12-7 21:50

是不是改变R3和R5其中一个得阻值就行了？依据的又是什么呢？

发表于 2011-12-7 21:50

是不是改变R3和R5其中一个得阻值就行了？依据的又是什么呢？

发表于 2011-12-17 08:59

Q1容易被烧毁？你输出功率多大啊？？？

发表于 2011-12-17 09:02

用MOS管。