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关于三极管饱和导通

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楼主: niechl
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21楼
xzcj87| | 2010-7-29 21:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
学习 应用中

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22楼
dawlen| | 2010-7-30 17:29 | 只看该作者
减小R5；3906换成8550。
按你说的功能，建议该电路放置于芯片复位端较好

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23楼
fzjswn| | 2010-9-19 14:17 | 只看该作者
应该把R3移动Q2的集电极，否则Q2导通后，Q1的基极电位被R3、R5钳位在2.5V左右，Q1 才不能可靠导通

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24楼
15008139337| | 2010-9-24 10:30 | 只看该作者
为什么 减小 R5 能提高带负载能力呢 ？  谁解释一些呢

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25楼
xiaoaihua| | 2010-9-28 08:55 | 只看该作者
R1上并一个电容保持三极管导通的时间，R5减小至100欧或者220欧，你看看，前级没什么负载，烧是不大可能的！

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26楼
zcwking| | 2011-10-6 15:14 | 只看该作者
学习了 ，各位大大

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27楼
yuan520| | 2011-10-19 22:22 | 只看该作者
真的是受教了！

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28楼
andy1wang| | 2011-10-20 12:22 | 只看该作者
学习了

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29楼
xiaotann| | 2011-10-20 15:56 | 只看该作者
挺好的

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30楼
randyhsd| | 2011-10-20 16:28 | 只看该作者
R5 不要了 R3增大一点不是可以很容易地保证饱和了么 呵呵

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31楼
diguomeng| | 2011-10-20 20:12 | 只看该作者
看不到

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32楼
savvy1988| | 2011-11-19 12:31 | 只看该作者
18楼说得没错，问题就是你的R1太小，使得Q2基极电压不够大，，增大R1，提高基极电压，就可以是Q2工作在饱和状态

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33楼
pennygongzi| | 2011-12-2 10:22 | 只看该作者
拿掉R5就好了。其它都OK。

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34楼
xiaotann| | 2011-12-2 16:18 | 只看该作者
BDDE

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35楼
xubx83| | 2011-12-3 10:03 | 只看该作者
打个印

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36楼
jackyard| | 2011-12-7 16:38 | 只看该作者
减小R5的值就可以了

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37楼
karolyte| | 2011-12-7 21:50 | 只看该作者
是不是改变R3和R5其中一个得阻值就行了？依据的又是什么呢？

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38楼
karolyte| | 2011-12-7 21:50 | 只看该作者
是不是改变R3和R5其中一个得阻值就行了？依据的又是什么呢？

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39楼
dandan0207| | 2011-12-17 08:59 | 只看该作者
Q1容易被烧毁？你输出功率多大啊？？？

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40楼
dandan0207| | 2011-12-17 09:02 | 只看该作者
用MOS管。

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