本帖最后由 tangyunxiong 于 2010-1-7 09:38 编辑
EAS-单脉冲雪崩击穿能量
如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
L 是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使 MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。
MOSFET并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。
EAR -重复雪崩能量
重复雪崩能量已经成为“工业标准”，但是在没有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何意义。散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。对于雪崩击穿所产生的能量高低也很难预测。
额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。该定义的前提条件是：不对频率做任何限制，从而器件不会过热，这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。在验证器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度，来观察MOSFET器件是否存在过热情况，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。
以上部分是抄别人的.![]()
以下是我自己的观点:
MOSFET在从截止到完全导通过程中,牵涉到MOSFET管的耐受力:
1,电压
2,电流
3,MOSFET内部消耗的总能量
当然还有很多其它参数,比如电压上升率等.
A: MOSFET在从截止到完全导通过程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.
B: MOSFET在正常导通工作时所能承受的最大功耗小于或等于Ear.
理由:Eas 或Ear最后都是转换成热能,MOSFET的损坏是由于局部热点而损坏,而导通或从截止到完全导通MOSFET内部消耗的能量同样转换成热能。
欢迎拍砖!
只要讨论A和B两个观点。
姓名:唐云雄
Email: tang01@yeah.net
2010年1月6日
根据拍砖情况加以说明:
Eas 是能量单位,它是功率与时间的积分,如果时间很长,这个能量对MOSFET就没有问题.
Ear也是能量单位,它也是功率与时间的积分.所以说在没有频率限制情况下无多大意义.
同时,Eas和Ear都是外部的能量,而问题却是内部所能承受的能量.如何把两者联系起来是该两个问题的关键,所以得给出时间或频率限制.
修正如下:
A: MOSFET在从截止到完全导通过程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.
注A:时间在较短时间内(MOSFET内部热量来不及传到外部),比如说t小于200uS.时间太长失去单次开关讨论的意义.
B: MOSFET在正常导通工作时所能承受的最大功耗小于或等于Ear.
注B:开关频率与MOSFET厂家给出的频率一样(测试Ear时所用频率).
谢谢拍砖!
2010年1月6日 |
楼主
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