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请教一个NPN和PNP组成的开关电路

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楼主
沙发
天神下凡| | 2010-1-12 16:02 | 只看该作者
本帖最后由 天神下凡 于 2010-1-12 16:05 编辑

R1min=(12V-Vbe-Vce(饱和压降))/Ibmax
R2min=(VIO-Vbe)/Ibmax
不过这只是不损坏电路的参数,Ib太大了的话,会让三极管进入深度饱和,会影响开关速度的。应该让管子工作在浅度饱和状态。

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板凳
天神下凡| | 2010-1-12 16:10 | 只看该作者
R2可以适当大一些,毕竟Q1的基极电流并不会太大。

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地板
zjp8683463| | 2010-1-12 17:59 | 只看该作者
限流作用,不需要很精确,1K~10K都可以

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5
因特网用户| | 2010-1-12 18:07 | 只看该作者
这样搞有什么优势没有  用达林顿管搞咋样

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6
HWM| | 2010-1-12 18:12 | 只看该作者
和达林顿管逻辑不一样,参考点不一样。

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7
micropower| | 2010-1-12 19:18 | 只看该作者
本帖最后由 micropower 于 2010-1-12 19:19 编辑

是不是要先确定一下8550的Ice呢?由它的Ice确定Ib

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8
mo910| | 2010-1-12 20:36 | 只看该作者
Q1的基极和发射极在加一个电阻是不是好一些

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9
jeaper| | 2010-1-12 21:22 | 只看该作者
R2可以适当大一些,可取10K,若对输出电流要求较大,R1可取小一点,例如1K
另外建议在Q2输出至+12V之间接一上拉。

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10
hithms| | 2010-1-13 15:37 | 只看该作者
同意7楼的方法。

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11
leosky| | 2010-3-18 00:17 | 只看该作者
ddddddddddddddddddddd

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12
ko09090| | 2010-3-18 09:01 | 只看该作者
考虑一下负载电流吧,器件选型很重要

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13
yaomokuan| | 2010-3-19 14:53 | 只看该作者
8# mo910
我也是这么觉得

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14
vbcity| | 2010-3-19 14:56 | 只看该作者
同意8楼, 不然Q2流过的电流太小了。

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15
simple2do| | 2010-3-19 16:43 | 只看该作者
楼主选择这个电路应该清楚你所选用的晶体管的Iceo,Ibeo的参数,把你自己为什么选这个幅值的电源,三极管说出来。其实,电路参数的设计是有一个先后顺序的,建议楼主去看一下《晶体管电路设计(上)》

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16
xmar| | 2010-3-23 17:08 | 只看该作者
为了可靠关断电源、少受各种干扰影响,不但Q1的基极和发射极之间要加一个电阻,而且,Q2的基极和发射极也要加一个电阻!

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17
SLEET1986| | 2010-3-24 08:00 | 只看该作者
受教。。

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firkan| | 2010-3-24 09:10 | 只看该作者
按照7楼说的的就可以

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melandar| | 2010-3-24 15:28 | 只看该作者
:)

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melandar| | 2010-4-13 16:09 | 只看该作者
受教

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