发新帖我要提问
返回列表
打印

光耦的共模抑制能力

[复制链接]
4931|2
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
clleady|  楼主 | 2010-1-18 11:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
光耦, 元件, vi, 电流型, ic
“由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有
很强的共模抑制能力。”我看到的一句描述。
请问：电流型工作的低阻元件和共模抑制能力有什么因果关系？
我只知道在差分放大电路中Voc=Aoc x Vic，理想状态下看成0v.
但是实际不等于0V，才会引入共模抑制比。就是说与Vic有关，与
低阻元件有什么关系？

使用特权

评论回复 赏

相关帖子
沙发
pengjianxue| | 2010-1-18 11:50 | 只看该作者
正确理解:
1, 你那共模是以初级为参考的,  发光管压降小, 所以初级共模小.
2, 虽然光耦初次级不共地, 但初次级地之间相互共模干扰可能很高, 加上初次级间光耦存在耦合电容, 在高压高频干扰下,光耦也不一定抗干扰.
3, 抗干扰取决于对干扰源,途经的深刻理解和精心设计以及准确的预见能力

彭建学   上海

使用特权

评论回复 赏
板凳
HWM| | 2010-1-18 13:53 | 只看该作者
“光耦的共模抑制能力”主要由其隔离所致，两个系统电隔离自然共模干扰就相对小。另一原因是光耦的驱动为电流源，而光耦自身输入阻抗很小（其实是电流型器件），故其共模电压干扰不会对其电流有明显影响。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

clleady
个人签名：活到老学到老

219

主题

477

帖子

1

粉丝