晶体管发射结加偏置电压问题？

发表于 2010-1-18 20:06

晶体管发射结加没有内阻的理想电源和有内阻的电源有什么区别。
众所周知，当加上没有内阻的电源电压超过一定值就会烧毁管子，那么加带内阻的呢？be之间会得到多大的电压呢？

发表于 2010-1-18 20:48

双极型晶体管（BJT）以共射方式所构成的放大器其输入（基极对发射极）特性为电流型（动态内阻很低），要求以类似电流源的信号源作为其输入源。因此通常会在电压源和基极间传入一个电阻，以增大“信号源”的内阻。
Vbe是多少，可以参考二极管的正向特性曲线。

发表于 2010-1-18 22:43

be之间会得到多大的电压呢？

大概是决定于具体的晶体管和实际电源大小吧

发表于 2010-1-19 19:00

谢谢hwm和iqanalog答复，我再理解理解。。。

发表于 2010-1-20 07:44

本帖最后由我是新手226 于 2010-1-20 07:55 编辑

照这么说稳压管的输入特性应该为电压型的吧
我的理解是这样的，当稳压管达到反向击穿电压时，稳压管开始正常作用，此时就有较大的电流流过。而晶体管的Ube-IB曲线是IB很小时晶体管就可以工作，而得到Ube。对吗？