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STM32的FLASH当做掉电数据保存器问题！

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楼主
电子乌托邦|  楼主 | 2010-1-19 08:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, STM32, 指令, 芯片, 掉电保护
我看到STM32的FLASH可以用指令擦出和读，
这样能不能替代我外部的AT45DB 的FLASH芯片呢？
用作存储掉电保护的数据。。
不知道这样用有什么缺点！
请大家指教

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沙发
午夜霓虹| | 2010-1-19 12:56 | 只看该作者
手册上说至少可以擦写一万次，你的产品的擦写次数少的话问题不大应该。

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板凳
无冕之王| | 2010-1-19 15:18 | 只看该作者
应该不能代替外部的AT45DB 的FLASH芯片

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地板
电子乌托邦|  楼主 | 2010-1-19 16:42 | 只看该作者
谢谢大家的回答，楼上可否说说原因！

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5楼
gxgclg| | 2010-1-19 17:05 | 只看该作者
我也很想知道原因

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6楼
电子乌托邦|  楼主 | 2010-1-19 20:53 | 只看该作者
香主能不能给个答案！

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7楼
pkat| | 2010-1-19 22:03 | 只看该作者
肯定可以呀，外部和内部的有区别吗，最多存储量有区别

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8楼
司徒老鹰| | 2010-1-19 22:47 | 只看该作者
可以吧，3楼有什么经验之谈？

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9楼
香水城| | 2010-1-19 22:57 | 只看该作者
内外之别不外乎是：1）擦写次数(寿命)；2）可使用的容量；3）最小可擦除块的大小；4）编程时间；等等。

你可以自己看看数据手册，比较一下这些参数，检查一下是否符合你的要求。

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10楼
mcuisp| | 2010-1-20 20:34 | 只看该作者
可以用些技巧。以空间换次数。

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11楼
mcuisp| | 2010-1-20 20:34 | 只看该作者
可以用些技巧。以空间换次数。

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12楼
qinyp| | 2010-1-21 09:10 | 只看该作者
LS说的对,"可以用些技巧。以空间换次数。"
我一般是这样做:
要记录的数据定长度,在开始增加一个标记字节如0x5A,上电运行后查找标记字节,记下地址,写数据时,先将原来的标记字节写0,地址+偏移量,写标记字节及新的内容。注意页写满的判断及处理。

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13楼
清风一士| | 2010-2-3 19:26 | 只看该作者
如果想可靠，最好别这么用

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14楼
香水城| | 2010-2-3 21:20 | 只看该作者
可以用些技巧。以空间换次数。
mcuisp 发表于 2010-1-20 20:34


这里有2个旧的应用笔记，虽然是讲ST7的，但是谈到了一些技巧，可供参考：

AN1477 Emulated Data EEPROM with XFlash memory
AN1502 Emulated data EEPROM with ST7 HDFlash Memory

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15楼
秋天落叶| | 2010-2-3 22:01 | 只看该作者
仅仅是替代，不考虑其它的，肯定是可以的

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16楼
xsgy123| | 2010-2-6 14:27 | 只看该作者
一空间换次数，很感兴趣

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17楼
yybj| | 2010-2-6 20:04 | 只看该作者
10楼可否具体说下方法

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18楼
gxgclg| | 2010-2-7 13:08 | 只看该作者
香主不是已经给了连接吗

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