我想这样做一个脉冲驱动变压器来驱动MOSFET，请问可以么

登录 · 发表于 2010-1-19 23:07

楼主，我想推一个全桥结构的MOSFET，功率不大，MOSFET的规格也就是 5A 600V，故想用以下的方案来推，A B两路互补的PWM，死区时间2us，脉变副边两组，我期望是得到两组相位相反的脉冲来推全桥的对角MOS，不知道这样的方案可行不？我今天试了一下，副边出来的波形很差，就连原边的PWM波形也被干扰发生畸变了，请楼主以及各位热心人帮忙分析一下，主要原因会在哪里？谢谢

发表于 2010-1-19 23:10

第二个图我是测试了其中一组PWM波形，图3是对应副边一组波形，都已经发生畸变，不知道怎么样分析，请斑竹和各位帮帮忙，呵呵！

发表于 2010-1-19 23:18

顶部的失真，叫顶降。如果RC、L/R都远大于脉冲周期，则顶降是很小的，出现你图中的这么严重的顶降，是C太小，或是R太大；

脉冲过后的那个小台阶，是励磁能量通过阻尼二极管向源端馈能时的钳位电压

发表于 2010-1-19 23:48

:)阻抗啊

登录 · 发表于 2010-1-19 23:59

驱动电路合理设计，可以用一个变压器两个次级绕组实现楼主的愿望。关键是脉冲过后那个小台阶(两个管子都关断)必须保持在接近于零的电平，否则一个正向脉冲过后，可能使另侧管子导通。保持在零电平附近，方法是这段时间里驱动要短路，详见下面的电路，两个二极管即为此目的而设。

发表于 2010-1-20 00:20

牛X，maychang竟然有军品datasheet, 俺看的，一直是民用3525.

死区时间内，A/B都是输出低电平，拉低的是输出端口本身，两个齐纳管只是起保护端口的作用。

比较奇怪的是，为什么这些器件的每一个端口，不像数字IC一样，都对源端和地端都各接一个钳位二极管保护端口，还要用户去另加。

发表于 2010-1-20 03:16

:handshake

发表于 2010-1-20 09:16

呵呵，谢谢各位斑竹，我的那个电阻是用10欧姆，电容为104，开关周期80K，我今天再改一下参数，顺便将那两个二极管接上看看，到时将再将结果向斑竹们报告一下

发表于 2010-1-20 10:02

两个萧特基二极管，无论驱动变压器在此之前是输出正向脉冲还是输出反相脉冲(也就是说无论变压器铁心磁化方向如何)，死区时间内3525内部两个下管均导通，任一下管与对侧的二极管均构成变压器初级的短路。
如果没有这两个二极管，因为驱动管是双极型管，虽然两下管均导通，也不能构成短路。当然，MOS管则没有问题。
各公司datasheet中只有UNITRODE是这样外加二极管，MOTOROLA和ST都是在芯片内就有这两个二极管。

登录 · 发表于 2010-1-20 10:23

嗯，俺用的一直是MOTOROLA的SG3525

趴显示器上，终于看清是肖特基，昨晚蚱会看成齐纳管了—*）（*%……￥……—%U

不行，俺得去把250的眼镜升级成350，哈

登录 · 发表于 2010-1-21 23:41

本帖最后由 powerlearn 于 2010-1-21 23:45 编辑

楼主，我今天做了这样的一个实验，绕制一个脉冲驱动变压器，其中A端输入的是一路PWM，D端接地，如图所示，测得的PWM波形和副边波形如图所示，比起上面的波形，顶降现象大大减小（示波器的2通道为PWM波形，还是有一些畸变，1通道是副边驱动波形，可以看到，驱动波形有明显的负向电压，大概为3V），请问这样的波形可以拿来作为驱动么？（如果可行的话，那么我用另外一个一样的变压器，也是这样的接法，那么就可以得到两组副边一样的输出，来推动对角的管子）因为副边尖峰比较大，而且不像上面的变压器原边两路互补的PWM，可以让变压器双向磁化，现在的是单向磁化，变压器能正常复位么？请指点，谢谢啦！

发表于 2010-1-21 23:54

漏感较大，副边漏感与分布电容振荡，产生了较大的振铃。还需要进一步改善。

不过用还是能用的，因为靠近栅级都要加一个阻泥电阻的，这个振铃在栅极上会被滤掉。

发表于 2010-1-22 09:56

呵呵，斑竹所言极是，确实振铃比较严重，我测试了一下，上升沿到到达峰值后迅速下降，掉到６Ｖ左右，时间约４５ＮＳ，然后恢复正常状态！我准备增大原边感量和副边感量，然后带一个ＭＯＳ看看

发表于 2010-1-22 10:26

俺已经被贬为草民，请不要再叫俺版主。

俺厚着脸呆这里的原因，是一种感情，请不要逼俺不来这儿，哈

振铃的谷值掉到6V很糟糕，MOSFET在这个栅压下会进入线性区，此时的损耗也许会比密乐平台还要大

发表于 2010-1-22 11:46

11楼的图，不知道楼主所需要的占空比在什么范围内变化。
变压器副边(二次)是没有直流分量的，所以副边波形在横轴之上部分和在横轴之下部分面积相等。这样，楼主就要考虑最大占空比和最小占空比的波形。最大占空比时(正向幅度即正峰值小)如果仍能驱动MOS管，最小占空比时(正向幅度大)有可能超过MOS管G极允许值。
如果占空比变化很小，当然没有关系。

发表于 2010-1-22 19:43

十一楼
试试在次级也接一个初级一样的电路,这样占空比就可以在很大范围内变化而驱动幅度不变了.

登录 · 发表于 2010-1-22 23:42

呵呵，这么多人关心指点，非常感谢！偶的占空比调节范围不大，所以基本不担心楼主maychang所说的问题，不过我会试一下16楼所提示的，下周一准备做一个实验，这几天太累了，周六日好好休息一下，准备出去打打球，^_^！我今天该了一下参数，副边增加了一组绕组，即两组副边一模一样，得到的波形也不错，准备初步这样定下来了，给大家看看波形！各方面都有所改进

发表于 2010-1-25 21:18

请问各位知情人士，10楼就是蚂蚁大师的像片吗？

发表于 2010-1-26 09:57

会上见过，就这副德性了;P

登录 · 发表于 2010-1-26 10:06

本帖最后由 PowerAnts 于 2010-1-31 21:22 编辑

re:18楼，正是俺，不过，俺后面那个两个才是真正的大师（总工级），跟他们相比，俺充其量是业余三段...

我想这样做一个脉冲驱动变压器来驱动MOSFET，请问可以么

本帖子中包含更多资源

相关帖子

本帖子中包含更多资源

本帖子中包含更多资源

今天做的试验

本帖子中包含更多资源

本帖子中包含更多资源

本帖子中包含更多资源

浏览过的版块

终身成就奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术导师奖章

核心会员奖章

技术领袖奖章

七世轮回

欢快之小溪

精华达人奖章

技术新星奖章

经常做客