mos管导通恢复速度太慢改如何调整？

只看该作者 · 2010-1-20 15:24

在网上找了很多电路图，自己试着在Multisim上搭配了一个电路，仿真了一下，效果并不理想，主要是mos管导通恢复速度太慢，不知道该如何处理。此外我对自己的这个电路很没把握，还需要什么修改的地方吗？
mos管用来做控制电路开关使用，电路图如下：

输入1kHz,3.3V方波时，示波器测得分压电阻上的波形如下图：

当把输入频率提高到20kHz时，波形变成这样：

1万 · 2010-1-20 15:38

增大R3,去掉R2.
这图画的。。。。。

4万 · 2010-1-20 15:38

可能是你Q1饱和得太深，MOS的Vth太大了。
20KHZ对MOS管来说是小case

3万 · 2010-1-20 15:40

将R2短路，会有改善。
将Vcc提高到10V左右，也会有改善。

只看该作者 · 2010-1-20 16:23

你的输出信号的特征是上升慢,下降快, 原因在:

1, MOS的漏源极间有寄生电容, 截止时,12V电源通过R4(20K欧)对其充电时间常数大, 所以上升慢

2, MOS管导通电阻较小, 漏源寄生电容通过其放电时间常数小,所以下降快

办法:选用寄生电容小的MOS, 一般小功率管寄生电容很小. 20K的负载,为何用IRF740呢?

彭建学上海

只看该作者 · 2010-1-20 16:24

楼上正解

1万 · 2010-1-20 16:47

1, MOS的漏源极间有寄生电容, 截止时,12V电源通过R4(20K欧)对其充电时间常数大, 所以上升慢
------------------------------------------------------------------------------------
截止时，寄生电容上的电荷不是通过R2，Q4的EC快速放掉了吗？
我觉得是这个放电通路部好所致。是Q1饱和导通慢了吧？

1万 · 2010-1-20 16:54

哈，究竟是由于漏源间的寄生电容还是栅源间的寄生电容我都搞糊涂了。

1万 · 2010-1-20 20:12

看你的电路主要是Cgs的影响

只看该作者 · 2010-1-20 20:23

加负压驱动。减小R2

只看该作者 · 2010-1-20 21:06

mark

2万 · 2010-1-20 22:38

Vgs（th）最小2V最大4V，按平均算为3V。还未考虑加余量就够呛。
建议设计时，充分仔细的看数据手册。

只看该作者 · 2010-1-21 11:22

本帖最后由 tigris 于 2010-1-21 12:02 编辑

改变r3没有什么变化，负载是我随意加上去的，主要想看看mos管的通断特性。
上升时间过慢确实是因为20k的大电阻对寄生电容充电造成，换成小电阻后就不存在了。小弟我对mos管的特性以及电路方面知识还是不扎实，谢谢各位。:loveliness: