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大电流MOS比小电流MOS发热更厉害

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wangshanpi|  楼主 | 2010-2-8 16:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 小电流, MOS管, RF, 电源
我做了个单端反激电源，先用了IRF540，感觉发热比较厉害，温升有50度，所以我想用个大的MOS管，例如IRF4710，内阻小点，发热就好了，结果就换了这个MOS管，明显看见输入电流大了（输出恒定），当然MOS管发热更厉害了，这我就想不通了，其它都没换，就换了个MOS管，结果损耗怎么会更大了，还望高人指点。我是24V输入，输出15V，大概就30W的样子，50K的频率。谢谢

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沙发
PowerAnts| | 2010-2-8 17:21 | 只看该作者
mos的损耗主要包括三项：导通损耗，切换损耗，电容损耗，要先查原因，是那一种增大了。

一般而言，耐压相当的管子，电流越大的，输入电容及输出电容都比较大，电容损耗比较大；而且这类管子的切换速度也会变慢。也就是说，管子参数要适中，并不是越大越好。

好比要运送十几个人，最经济的就是中巴车，用几辆小车或是一辆大巴，都是不经济的。

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板凳
donkey89| | 2010-2-8 21:41 | 只看该作者
1.驱动的电压电流是否足够?
2.过流限流电路是否起作用?

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地板
dadodo| | 2010-2-8 22:13 | 只看该作者
导通损耗低了一点点，开关损耗大了很多

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5楼
晶纲禅诗| | 2010-2-8 23:20 | 只看该作者
驱动力不足所至。一般而言，小功率MOS管的Qgs比大功率的MOS要小，同样的驱动能力，大MOS管的开关损耗可能更大。

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6楼
wangshanpi|  楼主 | 2010-2-9 09:14 | 只看该作者
谢谢各位参与，我也想是开关损耗太大导致，看了一下波形，关断时波形很差，电压和电流都有很大，有什么吸收电路能比较好的减少开关损耗呢，谢谢了

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7楼
PowerAnts| | 2010-2-9 09:25 | 只看该作者
在Rg上，反向并一个二极管，可加速关断过程，如效果不明显，则是驱动的灌电流太小，一般驱动中功率单管，驱动电流的瞬时值要达到300mA以上，多管及大功率的，则需要500mA，甚至1000mA以上

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8楼
wangshanpi|  楼主 | 2010-2-9 14:35 | 只看该作者
并了个二极管，效果好了比较多，损耗小了些，驱动电流应该问题不大，不知道有什么吸收电路还能把关断的尖锋电压或电流能降下来，我用的是RCD吸收电路，是用5K电阻，2.7nF电容，不知道各位有没什么更好的办法。谢谢

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9楼
PowerAnts| | 2010-2-9 14:38 | 只看该作者
吸收回路，R的值要与回路的特性阻抗相匹配，才能取得好的效果，5K显然太大，凭经验，大约要降100-500倍

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10楼
wangshanpi|  楼主 | 2010-2-9 14:50 | 只看该作者
是吧，谢谢，我再试试看，:lol

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11楼
PowerAnts| | 2010-2-9 18:07 | 只看该作者
具体的流程：
1，通电带一定负载，看一下振铃的频率；
2，关电，在DS间并一个与Coss同量级的电容，通电再看一下振铃的频率，配合电感量（如果是变压器，则需要用漏感来计算）计算出回路正常情况下的等效杂散电容；
3. 计算振铃的特性阻抗，作为消振电阻的值；
4. 计算串联电容的值。

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12楼
wangshanpi|  楼主 | 2010-2-10 13:09 | 只看该作者
把电阻改了一下，波形又好了点，基本上满足要求了，谢谢各位

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13楼
PowerAnts| | 2010-2-10 13:21 | 只看该作者
22R?

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