本帖最后由 yddoo 于 2010-3-1 13:40 编辑
这里就不详述NAND这种存储介质的特点了，网上有大把的描述，基本都正确。因为NAND本身的特性，使我们在使用它时不得不考虑一件重要的事情：坏块管理（BBM）
其实要做的事情非常简单：记录哪块是坏。
问题是什么呢： 这个记录信息存在哪？
如果你在网上搜索这样的问题，十有**是如同NAND 厂商那样在spear area的第一或六地址上写非0值。我就有点想不太明白，既然已经认为这个块是坏块了，那就意味着你这个标识此块为坏块的写操作也可能失败，失败了怎么办呢？（可能你认为不会出现这样的情况，但我没有从NAND的手册上看到能证明可以这样做的描述 三星或ST， 其他的我没查过，尽管这样做的成功率非常高，但没有证据啊）。
坏块标记失败对产品来说是非常危险的，所以正确的做法我想应该是不仅仅要尝试在spear area标识坏块，不论是否成功还要.....
这几天手头事情不是很多，把以前的思考总结了一下，并在这里和大家分享，欢迎拍砖。
为什么上面我提到两个厂家的NAND呢（以小页NAND为例）？
1. 当你看这两种NAND手册时，可能会发现有一个非常明显的不同点：
samsung NAND的手册里大多有提到 第一个块三星公司给出了1000次无ECC擦写保证，诸位请看：“The 1st block, which is placed on 00h block address, is guaranteed to be a valid block, does not require Error Correction up to 1K Program/Erase cycles”而ST的NAND的手册里似乎没有这样的保证，不过我不太清楚ST是不是提供有此保证的NAND，不过从价格上看好像ST的要稍稍便宜一点点。
2.当你看这两种NAND手册时，可能会发现有一个非常明显的相同点：
从概率上讲，无论是出厂或在使用过程中两家都保证坏块率不超过约2%，当然手册里不是这样写的。手册里写得非常明确：
E.g. valid blocks: 128Mbits min:1004, max: 1024. "The values shown include both the Bad Blocks that are present when the device is shipped and the Bad Blocks that could develop later on."这是ST说的，三星没有如此精确的描述，不过也有类似的表格数据。
俗话说：一命二运三风水四积德五读书。
好不容易读了点书找了个工作，发现老大给的板子上只有NAND这个非挥发性存储器。要是老大积德选了三星的NAND。这就好办了，不是说第一块穿1000次坏不了吗？那就用第一块吧，以128MBit（1024块）的NAND来说，最多产生20个坏块，换句话说，最多记录20次坏块信息，20次擦写。就记在第一块吧。 不过不要高兴得太早，目前几乎所有支持从NAND的启动ARMCPU都是读NAND的第一块的第一个PAGE中的内容作为启动代码，要是在第一块中记录坏块信息（BBI），那么万一在更新时掉电且不连启动代码也没有了，风险真大，如果第一块有启动代码就算了吧。1000次给启动代码吧，至少用不着为备份启动代码头疼了（其实产品上市很少有更新启动代码的，无所谓备份）。可问题还是没有解决啊，那就看ST的吧，因为除了第一块，三星和ST的没什么差别了。
好，要是选取了ST的呢。其实这样还算风水好啦，便宜嘛又是大厂，还记得那20次吗？ 小页128MBit的NAND中，一块有32页，NAND的是以页编程的，每页写一次就可以写32次啦。随便找一个BLOCK放BBI，但为什么每页写一次呢？ 不是NAND会写坏吗？那就尽量少写呗。 每坏一个块将过去的现在的BBI全写到下一个新页，还省得擦呢。
运气好的话，这个NAND 一辈子都没坏这么多，就算运次不太好，坏了20个还不止，那32个也可以， 再多 真接跟用户讲报废了，回头找ST赔去。
运气不好就有点麻烦了，倒霉选了一个BLOCK记录BBI，没写几次挂了，？？？？可咋办呢？ 再来个BBI_Block备份吧，倒霉到家了，又挂了，
继续折腾那个20吧，TMD给他20个BLOCK备份。要是都坏了呢？真接跟用户讲报废了，回头找ST赔去。万一更新时掉电呢。哎！ 命不好。
要是命好的话，投个好人家，有钱。板子上只要有个 FRAM，nvRAM, SRAM+Battery哪怕是个EEPROM，也不会这么烦了。或者选个好文件系统，不用自己管了。
其实碰到连着坏个20块的话，还真不容易。跟中500万差不多了我想，要是真碰到赶紧买彩票。一准XX中心算错了，你就中了。 |
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