BOOST电路烧MOS管

只看该作者 · 2010-2-26 17:12

MOS管用的IRFZ34N，增强型NMOS管
VDS可以达到55V，ID可以达到26A
但是，我的占空比只要到了100%
MOS管立马就烧了
GS短路后，MOS管温度迅速上升
MOS管频率为250K
哪位前辈能给点指导意见？
有劳了

只看该作者 · 2010-2-26 17:26

占空比100%,管子一直导通了,相当于电源短路,不烧掉才怪

只看该作者 · 2010-2-26 17:43

2楼的兄弟：
我的管子VDS可以到55V，ID也可以到26A
而我提供的Vi只有12V
所以我认为就算完全导通，也不可能烧调漏极和源极
况且我的完全导通时间很短
就是在我把占空比调到100%的一瞬间
MOS管就挂了。。。

3万 · 2010-2-26 17:51

楼主认为“时间很短”，对MOS管来说那可是很长很长。
烧MOS管，那是千分之一秒的事。

1万 · 2010-2-26 18:55

楼主认为“时间很短”，对MOS管来说那可是很长很长。
烧MOS管，那是千分之一秒的事。
maychang 发表于 2010-2-26 17:51

真的假的？
恐怖啊。

只看该作者 · 2010-2-28 03:50

回楼上，不是千分之一秒，应该是百万分之一秒，
一般MOS管保护电路的动作时间要在uS以下，
延迟几个uS，MOS管已经挂了。

只看该作者 · 2010-3-1 10:07

如果是因为导通时间而烧掉的管子
那应该烧坏的是DS两端
可是，我用万用表测的是GS两端导通了
不知楼上几位高手怎么解释？
期待中。。。
谢谢

2万 · 2010-3-1 13:44

boost？ 100%

只看该作者 · 2010-3-1 18:34

好像发现原因了
因为我的驱动电压是0~12V
改成0~5V后，没问题了

2万 · 2010-3-2 05:18

5V驱动电压，MOS的Ids最大为5A，相当于2.4ohm的Rds，短路功耗仅60W，时间很短不会烧，因为热沉的温升需要一个过程。不过5V驱动的Ron比12V驱动高了60倍，值得庆祝吗？

只看该作者 · 2010-3-2 10:21

本帖最后由 lphaff 于 2010-3-3 12:26 编辑

10楼：
蚂蚁你的回答让我感到很无地自容。。。
5V驱动的Ron比12V驱动提高了60倍。。。
不知道这个数据您是从哪里得到的？
我现在不知道我管子烧坏的原因，所以，就想到了降低驱动电压的方法
不知道您有什么高见？

3万 · 2010-3-2 10:54

昨晚看到9楼的帖，本来想说楼主两句，但怕伤了楼主的积极性，故没有回复。
降低驱动电压，占空比100%也不烧管子，是因为较小的驱动电压下管子并未进入充分饱和，导通电阻起了限流作用。但这样做，使得正常工作时开关电源的效率降低很多，显然不可取。
而且，由于管子参数有相当大的分散性，对A管恰合适的驱动电压对B管可能就要烧管，每支管子驱动电压必须逐个调整。这在生产中是不能接受的。
管子烧坏的原因是功耗太大，功耗大的原因是电感饱和，电感饱和的原因是管子导通时间太长，管子导通时间长的原因是你把占空比调整到了100%。

2万 · 2010-3-2 10:57

只看该作者 · 2010-3-2 17:25

本帖最后由 donkey89 于 2010-3-2 17:27 编辑

楼主很可爱,解决问题的方法也很可爱,就是思维方式不敢恭维.我跟不上,占空比的问题竟然跳到了驱动电压上面

只看该作者 · 2010-3-3 11:59

本帖最后由 lphaff 于 2010-3-3 12:26 编辑

特别感谢12楼的maychang版主和13楼的PowerAnts蚂蚁。
是你们的耐心帮助和解答让我对我这个问题有了更深的认识。
:)

4万 · 2010-3-3 12:10

楼上你有不知道的拉你称呼PowerAnts为前辈。他会骂你的
应该叫蚂蚁

4万 · 2010-3-3 12:13

4万 · 2010-3-3 12:14

只看该作者 · 2010-3-3 12:27

18楼，，，
哈哈
，谢了，
不小心犯了一个错误

2万 · 2010-3-3 12:29

罪过... 123

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