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请教DDR中ZQ校准的问题

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shinekk|  楼主 | 2016-5-9 21:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
DDR, MOS, os, 电阻, AC
本帖最后由 shinekk 于 2016-5-9 21:46 编辑

ZQ校准中，与PMOS并联的多晶硅电阻略大于240欧姆，通过控制PMOS的导通来微调，从而使得整个并联支路的等效电阻与240欧姆相等。
请教一下，校准电路中PMOS的导通电阻是不是特别大？大概在什么范围?
还有一个问题比较好奇，为什么校准要用240欧姆，工艺问题，还是说更容易得到合适的数值？

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