NOR FLASH的几个问题

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 楼主| azzzztec 发表于 2016-5-10 21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
//不知道发在这里和不合适,如果不合适我再挪地方吧。

我在用MICRON的并行NOR FLASH JS28F256P30B。有几个关于地址的问题,datasheet没太看明白,向各位请教一下。

1. Buffer address和block address各是什么?datasheet里面描述得好像有点乱。在buffered programming模式下,"a word count is written to the device at the buffer address",在对应的流程图里提到"Write word count (N-1). N = 0 corresponds to count = 1 (at block address)"。这里看起来两个是相等的?

2. 还是buffered programming模式,前面说“each word to be written into the flash in buffered programming mode should be accompanied with its address in the device”。这个符合常理。但是在对应的流程图里说“Write buffer data, (at block address) within buffer range"。每个数据都要写到block address?

4. 在访问command user interface (CUI)时,对应各条命令的地址DBA,DnA,WA,BA,PRA,LRA,RCD各是什么值?
xbd_119 发表于 2016-5-13 16:25 | 显示全部楼层
1,nor的地址是线性的,只是在擦除的时候是按照block来擦除的,所以整个线性空间可以划分为n个block。
2. DBA,DnA,WA,BA,PRA,LRA,RCD 是一个字节的命令字,具体看spec,写的很清楚。
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