2812flash模拟EEPROM问题

发表于 2010-3-2 15:00

刚看了一篇关于2812的falsh模拟EEPROM的文档，有一个问题想问问大家
用falsh模拟EEPROM需要将固定的sector划分成块，块再划分成页，然后从头到尾的按地址存储数据，当最后的地址空间用完后就要将这个sector全部擦除再从头开始写数据，我的问题是这样模拟出来的EEPROM里面存储的数据可以改写么？一定要顺序的存下来么？我要是想改变一个变量的值怎么办？谢谢！

发表于 2010-3-4 21:45

还没这样用过。这样用读取速度有多快？

发表于 2010-3-4 22:20

不用这么麻烦吧，可以直接把flash当做RAM用吧

发表于 2010-3-5 09:28

3# linhai2009

也可以这么用？需要设置什么东西吗？

发表于 2010-3-5 19:44

不用这么麻烦吧，可以直接把flash当做RAM用吧
linhai2009 发表于 2010-3-4 22:20

比较感兴趣

发表于 2010-3-6 11:17

这样用，数据空间会很有限吧，不过小程序够用了

发表于 2010-3-6 16:40

不知楼主的程序多大

发表于 2010-3-6 18:51

我就是把flash弄出来比较大一块可用的数据区当做EEPROM

发表于 2010-3-6 19:03

就是在CMD文件中开辟一个数据区就可以啦？这么简单？

发表于 2010-3-7 13:49

不可思议

发表于 2010-3-7 14:28

还可以这么用啊，长见识了

发表于 2010-3-7 14:38

10# hulan1985

这样有什么不对吗？

发表于 2010-3-7 14:39

9# tiger2010

我就是这么用的，不知大家有什么更好的用法

发表于 2010-3-8 15:56

如果要用内部FLASH,就调用FLASH API,程序从FLASH运行时，先要将对FLASH的操作函数复制到内部RAM中执行，结束后在跳到FLASH中运行。看看TI的例程就明白了！

发表于 2010-3-8 20:30

LS是一个达人，不知道LS做过2812的串口烧写没有？

发表于 2010-3-8 22:48

LS的2812的串口烧写问题还没有解决？

发表于 2010-3-11 15:53

呜呜，没人正面回答我的问题啊，其实2812的flash还算比较大了，一般的程序都能装的开，想开辟一块空间作EEPROM完全够用的。呵呵

发表于 2010-3-12 12:03

我觉得只要你地址定义好了，就可以更改里面的数据，还有这个应该是对相应的地址进行操作的，应该不需要按顺序来写

发表于 2010-3-12 12:29

17# quanlai2

如果你定义好了，就可以当普通EEPROM用了

2812flash模拟EEPROM问题

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