P沟道MOS问题!

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 楼主| slovef2199 发表于 2010-3-9 13:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
我看每个PMOS的datasheet都有这么一项电气特性,2031的如下:
Gate Threshold Voltage=0.4-0.9V,测试条件VDS =VGS, ID = 250uA,这是什么意思,是说开启电压最小0.4V?

那我这样用会不会出问题,就算LIG那端高电平(3.3V)也关不断PMOS?
大侠指教!!

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ShakaLeo 发表于 2010-3-9 14:29 | 显示全部楼层
是的,开启电压0.4-0.9V,3.3V关断不了。
 楼主| slovef2199 发表于 2010-3-9 16:13 | 显示全部楼层
2楼 ShakaLeo兄,像我这样想用3.3V控制5V的电源有什么好方法呢?
verilog-AMS 发表于 2010-3-9 19:08 | 显示全部楼层
就算Vgs小于0.4也没有完全关断,某些情况下要进行亚阈值分析
verilog-AMS 发表于 2010-3-9 19:11 | 显示全部楼层
3.3V控制5V电源开启关断可以用二极管连接PMOS串联一个反相器结构,后面再使用反相器+缓冲得到
ShakaLeo 发表于 2010-3-9 19:39 | 显示全部楼层
2楼 ShakaLeo兄,像我这样想用3.3V控制5V的电源有什么好方法呢?
slovef2199 发表于 2010-3-9 16:13


要注意各电阻的取值,应该在IO为3.3V时,Q1和Q2都能够饱和导通。

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lfc315 发表于 2010-3-9 20:05 | 显示全部楼层
楼上的图是从S极输出吗?
ShakaLeo 发表于 2010-3-9 20:12 | 显示全部楼层
楼上的图是从S极输出吗?
lfc315 发表于 2010-3-9 20:05

呵呵,DS极画反了。大意了
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