松下将双向GaN功率元件和驱动电路封装在约1cc模块中

只看该作者 · 2016-6-20 11:06

松下将该公司开发的可双向开关的GaN功率晶体管和该晶体管的栅极驱动电路集成到一起，开发出了模块产品，在“ISPSD 2016”上发布。模块的外形尺寸为25.5mm×12mm×3mm，体积只有约1立方厘米。

耐压为1350V，导通电阻为53mΩ，输出电流为25A。栅极驱动部分的耗电量只有0.8W。栅极驱动采用了松下自主开发的采用微波的技术“DBM”。

松下将这款模块应用在了正在开发的双向电力转换器上。一个方向将直流转换成交流，另一个方向将交流转换成直流。直流侧电压为50V，交流侧电压为25V。输出功率为25W时，效率为74％。松下相关人士介绍说，这一效率乍看上去很低，其实很高，原因是实验条件下的输出功率很小。