为什么MOS管工作在饱和区 发热也会严重呢

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 楼主| shisizai 发表于 2016-7-11 21:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,MOS管工作在饱和区,当成一个压控元件用,但是实测发热特大,求大神们解惑
maychang 发表于 2016-7-11 21:22 | 显示全部楼层
正是因为工作于饱和区,发热才严重。饱和区之外,发热不严重。
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-11 21:29 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2016-7-11 21:22
正是因为工作于饱和区,发热才严重。饱和区之外,发热不严重。

不是工作在线性区才会发热么,饱和区的时候导通电阻很小啊
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-11 21:53 | 显示全部楼层
fxmxh 发表于 2016-7-11 21:39
那是要在串联电路中,P=IR,保证I不变为前提。初中阶段就应该明白的。

I2R……这个明白
我看了一下IRF540导通电阻77m欧  电流10A的话也才7.7w,可是我现在电流2A的时候就烫的不行不行的,后来就烧了……
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-11 22:21 | 显示全部楼层
fxmxh 发表于 2016-7-11 21:58
您保证你的IRF540一定工作在饱和导通状态么?没散热措施?查查您的前级驱动电路 ...

您好  前级是用LM158直接接到G极上的,可以驱动的吧
现在的方案是改变LM158的输出电压,调节Vgs(4-20v),从而改变Ids,从而调节电机转速
应该是在饱和区,因为现在Ids只对Vgs敏感,Vds改变对它没影响;加了一个散热片
maychang 发表于 2016-7-11 22:59 | 显示全部楼层
shisizai 发表于 2016-7-11 21:29
不是工作在线性区才会发热么,饱和区的时候导通电阻很小啊

自己看曲线吧。一图抵千言。



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maychang 发表于 2016-7-11 23:04 | 显示全部楼层
shisizai 发表于 2016-7-11 22:21
您好  前级是用LM158直接接到G极上的,可以驱动的吧
现在的方案是改变LM158的输出电压,调节Vgs(4-20v) ...

你那个电路,源极输出,MOS管确实是工作于饱和区,就应该发热。
949155525 发表于 2016-7-11 23:32 来自手机 | 显示全部楼层
转速为什么不用pwm
robter 发表于 2016-7-12 08:16 | 显示全部楼层
这个最好工作在开关区
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-12 08:46 | 显示全部楼层
949155525 发表于 2016-7-11 23:32
转速为什么不用pwm

为了减少干扰
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-12 09:35 | 显示全部楼层
之前老是弄不懂VGS\VDS\ID之间的关系,今天发现了这个转移特性曲线和实测是相符的模电没学好,回炉重新看看基本概念


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whtwhtw 发表于 2016-7-12 11:51 | 显示全部楼层
哪位大神的理论?
“正是因为工作于饱和区,发热才严重。饱和区之外,发热不严重。”
也是醉了,语文老师教的吧

mos热首先看看是不是电路问题,是不是饱和区,其次看看散热够不够
maychang 发表于 2016-7-12 12:47 | 显示全部楼层
whtwhtw 发表于 2016-7-12 11:51
哪位大神的理论?
“正是因为工作于饱和区,发热才严重。饱和区之外,发热不严重。”
也是醉了,语文老师教 ...

老朽这些话,不敢说是我的理论,也不是语文老师教的,至少这些没有错。
Siderlee 发表于 2016-7-12 13:29 | 显示全部楼层
是温升打吧?

说说你自己怎么散热的吧。。。。
whtwhtw 发表于 2016-7-12 15:44 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2016-7-12 12:47
老朽这些话,不敢说是我的理论,也不是语文老师教的,至少这些没有错。 ...

这里说的饱和是尽可能饱和,大部分工作中的mos管Vds固定,只能调节Vgs,Vgs也是有限制的,调到最大也许也达不到饱和
也就是Vgs越大,越接近饱和,结电阻越小,电流越大,肯定是发热越大。从这方面考虑越接近饱和区发热越大是对的;
但是如果换一个比较环境,就是驱动电流一定情况下,如图,ic=3mA
(结晶体管的图,与mos管类似,仅做参考)
越接近饱和区,Vds压降就月小,管子本身功耗就越低,发热就越少
请坛友给指正

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评论

这确是语文老师教的。  发表于 2016-7-12 19:53
张冠李戴,拿BJT的图来讨论MOSFET?  发表于 2016-7-12 16:42
nstel 发表于 2016-7-12 16:07 | 显示全部楼层
请问楼主:你能确定,是工作在饱和区吗?
请你不要怀疑物理定律!工作在饱和区的MOS管是微热的,你的MOS管过热,首先要怀疑是不是工作在饱和区,而不是去怀疑物理定律。

评论

是的  发表于 2016-7-12 16:20
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-12 16:27 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2016-7-12 13:29
是温升打吧?

说说你自己怎么散热的吧。。。。

现在是想并联一个管子分流
 楼主| shisizai 发表于 2016-7-12 16:29 | 显示全部楼层
whtwhtw 发表于 2016-7-12 11:51
哪位大神的理论?
“正是因为工作于饱和区,发热才严重。饱和区之外,发热不严重。”
也是醉了,语文老师教 ...

请问电路需要注意些什么呢,现在的电路是这样的

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cnb12345 发表于 2016-7-12 16:33 | 显示全部楼层
和工作电流有关
nstel 发表于 2016-7-12 16:39 | 显示全部楼层
shisizai 发表于 2016-7-12 16:29
请问电路需要注意些什么呢,现在的电路是这样的

这个电路,分明就是工作在线性区嘛!
如果要工作在饱和区,VGS-VCC>=10V才行!
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