关于电压的问题

只看该作者 · 2016-7-13 10:21

本帖最后由 cavalierns 于 2016-7-13 10:25 编辑

交流分析还暂时不太熟，想问一下
1、红圈VDD的电压是多少？怎么计算？
2、如果Na线圈可以提供电压，为什么还需要接R1、R2呢？
3、D1、R3、C3起什么作用（估计是加快什么功能的作用）？
先谢各位老鸟了！

3万 · 2016-7-13 10:58

1、VDD电压主要由Na绕组电压决定。计算VDD须先设计Vo。
2、M1开始工作的第一个脉冲需要芯片MT7970驱动，而没有VDD芯片不可能驱动M1。
3、D1、R3、C3为吸收T1漏感所储存能量所设。

只看该作者 · 2016-7-13 11:07

maychang 发表于 2016-7-13 10:58
1、VDD电压主要由Na绕组电压决定。计算VDD须先设计Vo。
2、M1开始工作的第一个脉冲需要芯片MT7970驱动，而 ...

大神！膜拜！
还有问题：
1、芯片一开始只能靠电阻还有芯片内的内部电源组成的VDD工作？
2、VDD工作后的电压还是根据Na对地的电压吧？

3万 · 2016-7-13 11:31

cavalierns 发表于 2016-7-13 11:07
大神！膜拜！
还有问题：
1、芯片一开始只能靠电阻还有芯片内的内部电源组成的VDD工作？

1、芯片一开始靠C4上面电压工作，而C4两端电压靠R1R2对C4充电而得。
2、芯片开始工作(靠R1R2对C4充电达到一定电压)后几个PWM周期，C4即靠绕组Na经D2充电。

只看该作者 · 2016-7-13 11:49

maychang 发表于 2016-7-13 11:31
1、芯片一开始靠C4上面电压工作，而C4两端电压靠R1R2对C4充电而得。
2、芯片开始工作(靠R1R2对C4充电达到 ...

对于问题1，桥堆整流后的电压那么高，对电容充电不会爆炸吗？

只看该作者 · 2016-7-13 12:28

cavalierns 发表于 2016-7-13 11:49
对于问题1，桥堆整流后的电压那么高，对电容充电不会爆炸吗？

电压并一一定很高，再说电容耐压高的也很多，一开始就是缓启动，打开M1，之后VDD都是na来供电，R1，R2肯定是阻值很高的电阻。

只看该作者 · 2016-7-13 12:59

peric112358 发表于 2016-7-13 12:28
电压并一一定很高，再说电容耐压高的也很多，一开始就是缓启动，打开M1，之后VDD都是na来供电，R1，R2肯 ...

分析很到位啊！感激不尽！

3万 · 2016-7-13 15:37

cavalierns 发表于 2016-7-13 11:49
对于问题1，桥堆整流后的电压那么高，对电容充电不会爆炸吗？

你的图中并未标注R1R2多大。
实际上，R1R2是相当大的电阻，对C4的充电电流大致上只有1mA多一点。

只看该作者 · 2016-7-13 20:20

R1R2都是启动电阻，一般取值都是兆欧级别的，对电容的充电电流很小的。

只看该作者 · 2016-7-13 23:14

像这个低压启动IC R1 R2不会非常大，Mohm 20-200Kohm  .电流太小，加上C4启动时间会拉长.
1）从没电（AC =0  --> vin AC），IC要先唤醒，此时Na辅助绕组是还没有感应到电压（主绕组因MOS 处于OFF状态）
电从R1 R2 C4平稳提出  VC4电压值到启动阈值（10V左右，详见IC SPEC）.
2）VDD得到 >阈值电压，IC准备开始工作，gate 输出.（2种情况是否有软启动）...
3)  gate输出，MOS导通，主绕组L 有对应电压，此时辅助绕组还没有工作，等IC_gate关闭输出 mos关闭  主绕组的能力传递给次级绕组+辅助绕组Na.(此点,使用示波器测试VDD可以看到掉电的波形，--> 由R1 R2 转为辅助绕组供电中转掉电)
4)  反馈...