兄弟最近有个项目,需要用到可控硅串联以达到10KV。以前常听说TCR和高压TSC等产品都是使用可控硅串联做成阀体,但一直没有相关经验。我这个应用,应该比TCR的阀体要简单,因为大部分时间可控硅都是不导通的,只有在电力系统发生故障时才短时导通,电流也不大,绝对不大于200A。所以,损耗可以不考虑。
关于此,我想问的问题具体有:
1 可控硅串联,使用单个可控硅串联还是双向可控硅串联?
2 静止分压,是不是并联电阻即可?
3 是否需要加RC吸收?
4 串联后的电压裕量是不是需要留2倍以上?
5 什么驱动方式可以更好的达到可控硅同时导通的一致性?
6 如果可控硅控制的是容性负载,电压和电流相角相差较大,可控硅电流过零关断后的耐压也是考验,如何考虑关断的一致性?
谢谢。
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