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典型的MOS管驱动的改进

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楼主
QuakeGod|  楼主 | 2010-3-14 20:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 二极管, 电路, 电压, 饱和


上面的那个MOS管驱动电路是典型的MOS管驱动的改进。
典型电路里，没有D621那个二极管，其他基本相同。
这个电路里的D621二极管是加速二极管。
电路里面三个三极管，Q621,Q622,Q623,只有Q622是工作在深度饱和状态，此状态不利于速度的提升，尤其是关断速度，典型电路中，关断时间需要2uS左右，而加上这个加速二极管后，Q622脱离深度饱和，关断时间只有0.5uS左右，减小MOS管的关断损耗。
当然加上这个二极管的缺点就是MOS管开启时栅极电压会比原来的电压低1V左右，这个可以通过提高电源电压来解决。

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沙发
csq463276932| | 2011-7-2 11:21 | 只看该作者
收藏，谢谢。

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板凳
xiaotann| | 2011-7-2 15:01 | 只看该作者
速度的提升

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地板
woshixinshou| | 2011-7-3 07:22 | 只看该作者
而加上这个加速二极管后，Q622脱离深度饱和

不错！

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5楼
heenson| | 2011-8-20 10:56 | 只看该作者
mark

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6楼
ssy250| | 2011-8-21 14:07 | 只看该作者
哇，有想法

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7楼
lfc315| | 2017-3-1 16:01 | 只看该作者
看到楼主在一个帖子里回复我，特来学习一下；
D621是不是反了？

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8楼
lfc315| | 2017-3-1 16:52 | 只看该作者

对否？

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9楼
lfc315| | 2017-3-1 17:19 | 只看该作者
按楼主图分析，加入这个二极管之后，Q622开通时，存在一个负反馈，G极电压上升速率会变缓，不知对否

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10楼
renxiaolin| | 2017-3-1 17:24 | 只看该作者
留个名

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11楼
QuakeGod|  楼主 | 2017-10-31 13:38 | 只看该作者
lfc315 发表于 2017-3-1 16:52
对否？

如果你那个1N4148变成一个肖特基二极管，放在那里也是可以的。
其实用那种把三极管和肖特基二极管合成在一起的三极管，就是为了提高开关速度,
这也是74LSxx中那个S的由来。

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12楼
戈卫东| | 2017-10-31 15:12 | 只看该作者
1. 错的。
2. 元件用得太多了。

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13楼
moqi816| | 2017-11-1 11:22 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2017-10-31 15:12
1. 错的。
2. 元件用得太多了。

能说一下哪里错了吗

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14楼
戈卫东| | 2017-11-1 13:34 | 只看该作者
抱歉。我算错了。应该可以用。@moqi816

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15楼
戈卫东| | 2017-11-1 13:42 | 只看该作者
如果VCC是3.3V，Q621最大给2.5mA电流，R624吃掉一半，那么Q622大概最多能给出几十mA电流，驱动IRF540这类Qg比较大的管子会很疲软。

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16楼
戈卫东| | 2017-11-1 13:43 | 只看该作者
R626再分一点。
更疲软了。

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17楼
戈卫东| | 2017-11-1 13:45 | 只看该作者
再来个C624，雪上加霜。（当然，可以不焊它）

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18楼
wyf19941116| | 2017-11-2 11:18 | 只看该作者
楼主，有没有好的MOS管可以推荐下，希望开关频率可以达到20M，也就是50ns

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19楼
戈卫东| | 2017-11-2 12:01 | 只看该作者
wyf19941116 发表于 2017-11-2 11:18
楼主，有没有好的MOS管可以推荐下，希望开关频率可以达到20M，也就是50ns

50ns可以找到很多，但它不能工作到20M

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20楼
QuakeGod|  楼主 | 2017-11-6 19:06 | 只看该作者
wyf19941116 发表于 2017-11-2 11:18
楼主，有没有好的MOS管可以推荐下，希望开关频率可以达到20M，也就是50ns

如果开关频率要到20M，那么升降时间最多最多最多也只能在10nS，最好更小。
现在我们开关频率20K，还要求升降时间在1uS甚至0.5uS。

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