典型的MOS管驱动的改进

发表于 2017-11-21 18:36

lfc315 发表于 2017-3-1 16:52
对否？

请问这个是怎样做到防深度饱和的？

发表于 2017-11-21 20:23

103电容，上不了高频率

发表于 2017-11-22 10:09

模拟粉发表于 2017-11-21 18:36
请问这个是怎样做到防深度饱和的？

就是利用二极管在三极管导通时分流钳位基极，防止三极管进入深度饱和吧；

登录 · 发表于 2017-11-22 10:09

登录 · 发表于 2017-11-22 12:55

lfc315 发表于 2017-11-22 10:09

红线那里，不是Vce越小，饱和越深吗？
应该是要提高集电极电压吧？
另外，为何用的不是肖特基管子？

发表于 2017-11-22 13:46

是应该肖特基，当时是拿楼主的图讨论，对楼主的电路有疑问，把二极管挪了个位置

发表于 2017-11-23 10:37

本帖最后由模拟粉于 2017-11-23 10:43 编辑

lfc315 发表于 2017-11-22 10:09
就是利用二极管在三极管导通时分流钳位基极，防止三极管进入深度饱和吧；
...

NPN的还好理解，
PNP的是怎样分流？
二极管不是应该接到R624 两端吗？

发表于 2017-11-23 11:02

模拟粉发表于 2017-11-23 10:37
NPN的还好理解，
PNP的是怎样分流？
二极管不是应该接到R624 两端吗？

看24楼的图

发表于 2017-11-24 09:08

请教一下三极管Q623是什么作用？

发表于 2017-11-24 09:47

lfc315 发表于 2017-11-22 10:09
就是利用二极管在三极管导通时分流钳位基极，防止三极管进入深度饱和吧；
...

要做到防止进入深度饱和，就是要做到Vce不要太小吧？
Vce一般小于多少，就可以认为三极管深度饱和了？是0.3V吗？
假设Ve=0（接GND），那么 Vb=0.7V，所以加入肖特基，使Vc（即Vce）=0.7-0.35=0.35V

发表于 2017-11-24 09:55

三极管手册中的VCE（sat）是深度饱和时的值吗？