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典型的MOS管驱动的改进

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楼主: QuakeGod
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请问这个是怎样做到防深度饱和的?

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22
零点飞越| | 2017-11-21 20:23 | 只看该作者
103电容,上不了高频率

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lfc315| | 2017-11-22 10:09 | 只看该作者
模拟粉 发表于 2017-11-21 18:36
请问这个是怎样做到防深度饱和的?

就是利用二极管在三极管导通时分流钳位基极,防止三极管进入深度饱和吧;

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24
lfc315| | 2017-11-22 10:09 | 只看该作者

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25
模拟粉| | 2017-11-22 12:55 | 只看该作者




红线那里,不是Vce越小,饱和越深吗?
应该是要提高集电极电压吧?
另外,为何用的不是肖特基管子?

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26
lfc315| | 2017-11-22 13:46 | 只看该作者
是应该肖特基,当时是拿楼主的图讨论,对楼主的电路有疑问,把二极管挪了个位置

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27
模拟粉| | 2017-11-23 10:37 | 只看该作者
本帖最后由 模拟粉 于 2017-11-23 10:43 编辑
lfc315 发表于 2017-11-22 10:09
就是利用二极管在三极管导通时分流钳位基极,防止三极管进入深度饱和吧;
...

NPN的还好理解,
PNP的是怎样分流?
二极管不是应该接到R624 两端吗?

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lfc315| | 2017-11-23 11:02 | 只看该作者
模拟粉 发表于 2017-11-23 10:37
NPN的还好理解,
PNP的是怎样分流?
二极管不是应该接到R624 两端吗?

看24楼的图

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zhangst4| | 2017-11-24 09:08 | 只看该作者
请教一下三极管Q623是什么作用?

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模拟粉| | 2017-11-24 09:47 | 只看该作者
lfc315 发表于 2017-11-22 10:09
就是利用二极管在三极管导通时分流钳位基极,防止三极管进入深度饱和吧;
...

要做到防止进入深度饱和,就是要做到Vce不要太小吧?
Vce一般小于多少,就可以认为三极管深度饱和了?是0.3V吗?
假设Ve=0(接GND),那么 Vb=0.7V,所以加入肖特基,使Vc(即Vce)=0.7-0.35=0.35V

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模拟粉| | 2017-11-24 09:55 | 只看该作者
三极管手册中的VCE(sat)是深度饱和时的值吗?

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