STM8S105C6芯片内部EEPROM使用问题

发表于 2016-7-23 09:32

大家好，我现在用一块STM8S105C6做一款简单的产品，其中驱动了一块段码LCD，在使用内部EEPROM时，总是会打断我的TIMER2中断，导致LCD闪烁，大家对内部EEPROM的使用有什么好的建议吗？本人觉得太慢了，我的TIMER2中断时间是1ms都能被严重的打断，求解！！谢谢！

发表于 2016-7-23 10:25

发表于 2016-7-23 10:34

字节写不用等完成

发表于 2016-7-23 11:03

您好，就是说我按字节去写就不会打断中断了是吗?目前我的EEPROM功能是放在主函数里去执行的！

发表于 2016-7-23 11:04

sting_yang 发表于 2016-7-23 10:25

您好，规格书描述的是6.6ms写进去，确实太慢，我目前的核心问题是启用了EEPROM，为什么会打断我的中断，按理说中断是有最高优先级的。

发表于 2016-7-23 11:04

1ms中断一次，10次10ms，利用这个时间来跨过6.6ms的编程时间。至于一次写入多少字节，看你应用。

发表于 2016-7-23 11:58

就是说在中断内计数十次触发一次EEPROM？我只要相应了EEPROM，就会打断我的中断，与多少次中断触发一次EEPROM没有太大关系。

发表于 2016-7-23 12:18

写FLASH时间是比较长的，不要经常写；
写的时候最好不要有其它操作，防止丢数据；

发表于 2016-7-23 16:17

现在要求同时保存数据，又不影响中断的执行，您有没有什么好的方法呢？

发表于 2016-7-23 17:47

方法就那么几种1.将显示的函数放到RAM里运行 2.加外部E2 3.换芯片 4.换显示方案

发表于 2016-7-23 19:03

doublesan 发表于 2016-7-23 11:04
您好，规格书描述的是6.6ms写进去，确实太慢，我目前的核心问题是启用了EEPROM，为什么会打断我的中断， ...

据说STM8内部的EEPROM本质上还是FLASH，所以说在写EEPROM的同时（也就是写FLASH），内核无法从FLASH中读取程序，也就是说内核是停止的。
而且EEPROM的写操作也不要太频繁，能否通过降低写EEPROM的频率来减少LCD的闪烁呢？

发表于 2016-7-23 21:37

在操作eprom的过程中，是要关闭所有中断的。

发表于 2016-7-24 20:12

防滑销钉发表于 2016-7-23 19:03
据说STM8内部的EEPROM本质上还是FLASH，所以说在写EEPROM的同时（也就是写FLASH），内核无法从FLASH中读 ...

说的有道理，我现在通过判断条件去减少写EEPROM的次数，但还是会导致LCD闪烁，所以目前没有什么更高的方法。用DSP习惯了，有些思维定式。

发表于 2016-8-15 21:46

本帖最后由防滑销钉于 2016-8-15 21:47 编辑

doublesan 发表于 2016-7-24 20:12
说的有道理，我现在通过判断条件去减少写EEPROM的次数，但还是会导致LCD闪烁，所以目前没有什么更高的方 ...

不知道你每次需要写EEPROM的数据量是多少？如果数据量过大的话，可以通过写block的方式来写EEPROM（写一个block的时间与写一个字节的时间是相同的），不过写block的时间也要6.6ms，在这6.6ms时间内，可能还是无法响应TIMER的1ms中断……。

发表于 2016-8-16 00:06

我记得，在操作eprom的过程中，是要关闭所有中断的。

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