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[STM8]

STM8S105C6芯片内部EEPROM使用问题

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楼主
doublesan|  楼主 | 2016-7-23 09:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, 芯片, STM8S105, LCD, timer
大家好，我现在用一块STM8S105C6做一款简单的产品，其中驱动了一块段码LCD，在使用内部EEPROM时，总是会打断我的TIMER2中断，导致LCD闪烁，大家对内部EEPROM的使用有什么好的建议吗？本人觉得太慢了，我的TIMER2中断时间是1ms都能被严重的打断，求解！！谢谢！

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沙发
sting_yang| | 2016-7-23 10:25 | 只看该作者



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板凳
jcdzxh| | 2016-7-23 10:34 | 只看该作者
字节写不用等完成

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地板
doublesan|  楼主 | 2016-7-23 11:03 | 只看该作者
您好，就是说我按字节去写就不会打断中断了是吗?目前我的EEPROM功能是放在主函数里去执行的！

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5楼
doublesan|  楼主 | 2016-7-23 11:04 | 只看该作者
sting_yang 发表于 2016-7-23 10:25

您好，规格书描述的是6.6ms写进去，确实太慢，我目前的核心问题是启用了EEPROM，为什么会打断我的中断，按理说中断是有最高优先级的。

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6楼
3htech| | 2016-7-23 11:04 | 只看该作者
1ms中断一次，10次10ms，利用这个时间来跨过6.6ms的编程时间。至于一次写入多少字节，看你应用。

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7楼
doublesan|  楼主 | 2016-7-23 11:58 | 只看该作者
就是说在中断内计数十次触发一次EEPROM？我只要相应了EEPROM，就会打断我的中断，与多少次中断触发一次EEPROM没有太大关系。

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8楼
mmuuss586| | 2016-7-23 12:18 | 只看该作者
写FLASH时间是比较长的，不要经常写；
写的时候最好不要有其它操作，防止丢数据；

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9楼
doublesan|  楼主 | 2016-7-23 16:17 | 只看该作者
现在要求同时保存数据，又不影响中断的执行，您有没有什么好的方法呢？

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10楼
457344370| | 2016-7-23 17:47 | 只看该作者
方法就那么几种1.将显示的函数放到RAM里运行  2.加外部E2  3.换芯片  4.换显示方案

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11楼
防滑销钉| | 2016-7-23 19:03 | 只看该作者
doublesan 发表于 2016-7-23 11:04
您好，规格书描述的是6.6ms写进去，确实太慢，我目前的核心问题是启用了EEPROM，为什么会打断我的中断， ...

据说STM8内部的EEPROM本质上还是FLASH，所以说在写EEPROM的同时（也就是写FLASH），内核无法从FLASH中读取程序，也就是说内核是停止的。
而且EEPROM的写操作也不要太频繁，能否通过降低写EEPROM的频率来减少LCD的闪烁呢？

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12楼
xyz549040622| | 2016-7-23 21:37 | 只看该作者
在操作eprom的过程中，是要关闭所有中断的。

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13楼
doublesan|  楼主 | 2016-7-24 20:12 | 只看该作者
防滑销钉 发表于 2016-7-23 19:03
据说STM8内部的EEPROM本质上还是FLASH，所以说在写EEPROM的同时（也就是写FLASH），内核无法从FLASH中读 ...

说的有道理，我现在通过判断条件去减少写EEPROM的次数，但还是会导致LCD闪烁，所以目前没有什么更高的方法。用DSP习惯了，有些思维定式。

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14楼
防滑销钉| | 2016-8-15 21:46 | 只看该作者
本帖最后由 防滑销钉 于 2016-8-15 21:47 编辑
doublesan 发表于 2016-7-24 20:12
说的有道理，我现在通过判断条件去减少写EEPROM的次数，但还是会导致LCD闪烁，所以目前没有什么更高的方 ...

不知道你每次需要写EEPROM的数据量是多少？如果数据量过大的话，可以通过写block的方式来写EEPROM（写一个block的时间与写一个字节的时间是相同的），不过写block的时间也要6.6ms，在这6.6ms时间内，可能还是无法响应TIMER的1ms中断……。

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15楼
仙景| | 2016-8-16 00:06 | 只看该作者
我记得，在操作eprom的过程中，是要关闭所有中断的。

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