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MOS管开关电路

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戈卫东| | 2016-8-1 20:11 | 只看该作者
这个位置应该用个PCH的MOS管吧?

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邱宇sky|  楼主 | 2016-8-1 20:18 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-1 20:11
这个位置应该用个PCH的MOS管吧?

为什么用P沟道的呢,用P沟道的不就得加负电压了吗

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戈卫东| | 2016-8-1 20:20 | 只看该作者
邱宇sky 发表于 2016-8-1 20:18
为什么用P沟道的呢,用P沟道的不就得加负电压了吗

你是正端的开关,P型MOS的栅极如果给电压0就开通,给VCC就关闭,这样才方便可靠。

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邱宇sky|  楼主 | 2016-8-1 20:23 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-1 20:20
你是正端的开关,P型MOS的栅极如果给电压0就开通,给VCC就关闭,这样才方便可靠。 ...

这个管给正向电压也应该接通呀

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邱宇sky|  楼主 | 2016-8-1 20:23 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-1 20:20
你是正端的开关,P型MOS的栅极如果给电压0就开通,给VCC就关闭,这样才方便可靠。 ...

现在这种情况为什么不能导通呢

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戈卫东| | 2016-8-1 20:24 | 只看该作者
邱宇sky 发表于 2016-8-1 20:23
现在这种情况为什么不能导通呢

建议先找本讲了MOS管的模电书看看。。。。。。。

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maychang| | 2016-8-1 20:26 | 只看该作者
你这个电路要想让右边输出接近电源电压,MOS管门极要加上比电源电压再高一个开启电压的电压。

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邱宇sky|  楼主 | 2016-8-1 20:29 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-8-1 20:26
你这个电路要想让右边输出接近电源电压,MOS管门极要加上比电源电压再高一个开启电压的电压。 ...

为什么呢

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cauhorse| | 2016-8-1 20:38 | 只看该作者

一旦MOS开通,VBAT几乎全部降在R503上,MOS管的源极电压上升至接近VBAT;
此时的Vgs不能使MOS维持导通状态,要维持导通,此时的Vgs需要比源极电压更高才行。
琢磨一下先。

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邱宇sky|  楼主 | 2016-8-1 20:43 | 只看该作者
cauhorse 发表于 2016-8-1 20:38
一旦MOS开通,VBAT几乎全部降在R503上,MOS管的源极电压上升至接近VBAT;
此时的Vgs不能使MOS维持导通状 ...

懂了   非常感谢 非常感谢

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sq0100| | 2016-8-1 21:26 | 只看该作者
本帖最后由 sq0100 于 2016-8-1 21:28 编辑

20K电阻和MOS对调位置,那100K电阻也根着搬下来就ok了

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13
戈卫东| | 2016-8-1 22:55 | 只看该作者
sq0100 发表于 2016-8-1 21:26
20K电阻和MOS对调位置,那100K电阻也根着搬下来就ok了

问题是,20K电阻可能并不是真的负载,负载还在后头。。。。。

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14
邱宇sky|  楼主 | 2016-8-1 22:58 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-1 22:55
问题是,20K电阻可能并不是真的负载,负载还在后头。。。。。

是,这么改也不行,有好的解决办法吗

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戈卫东| | 2016-8-1 23:00 | 只看该作者
这里并没有选择,只有用个P型MOS管才是最简单可靠方便

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robter| | 2016-8-2 08:29 | 只看该作者
R503  20K电阻太大,mos管打开的时候压降大,抬高S极的电压,相当拉低Vgs,又打不开mos管了

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17
huarana| | 2016-8-2 09:13 | 只看该作者
很简单 ,要控制电源端 用PMOS

要控制 地端  采用NMOS

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邱宇sky|  楼主 | 2016-8-2 09:23 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-1 23:00
这里并没有选择,只有用个P型MOS管才是最简单可靠方便

我把R503改成10M欧姆,之后输出变成4.5,这是为什么呢

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19
mmuuss586| | 2016-8-2 09:43 | 只看该作者
不管是P还是N沟道,这样设计都很难导通;

N沟道:要导通,输入电压>(VBAT+3V)

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wuzhenchuang| | 2016-8-2 14:42 | 只看该作者
用N沟道的是可以的。

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