本帖最后由 甘蓝 于 2016-8-5 14:08 编辑
最近调试一个MOS管的开关电路，如下：
file:///D:/1.png
file:///D:/1.png
图中R3=100K，C1=0.1uF，PTB2为单片机输出周期为1HZ的高低变换电平，test为示波器的接入点。调整R1，R2阻值（R1:R2如10K：100K，1K：100K，1.5R：100K，1.5R：10K），想提高MOS管的开关速度，但是发现开启速度基本没有变化，均在50ms左右，如下图：
file:///D:/2.png
file:///D:/3.png
在网上找资料，说在R1两端并联电容可以提高速度，但是实际测试并没有提高。似乎那个是可以提高晶体管的速度。
又在网上查资料，说下拉电阻R2应该在栅极电阻R1的前端，于是调整电路继续测试（R1：R2如51R:910R），开启时间约在40ms左右，开启时间依旧很长。
请问开启速度这么慢是什么原因造成的，是我的MOS管不是所谓的高度MOS吗，还是我的电路有什么问题，如何能够提高MOS管的开关速度。
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