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TI博客**-FemtoFET MOSFETs:沙粒般渺小,一切尽在间距

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xyz549040622|  楼主 | 2016-8-18 08:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
哪个含硅量更高:一粒沙子还是TI最新的FemtoFET产品?坐在沙滩椅上,看着大西洋的浪潮拍打着泽西海岸,我的脑海中反复萦绕着这个问题。TI新发布的F3 FemtoFET,声称其产品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm(见图1),但含硅量却轻松超过大西洋城人行板道下飞扬的沙砾。

图1:F3 FemtoFET组合尺寸

查看最新产品,加入下表包括超低容量产品CSD15380F3在内的FemtoFET产品组合,。
部件编号
N/P
Vds
Vgs
Id Cont. (A)
典型的导通电阻 (mohm)
输入电容 (pF)
4.5V
2.5V
1.8V
N
20
10
0.5
1170
2200
x
8.1
P
20
12
1.7
132
203
420
119
P
12
6
1.8
97
129
180
180
表1 F3 FemtoFETs

体积如此之小的设备,一个关键的考虑点是如何使用表面装配技术(SMT)将FemtoFET与面板连接。设备面板的焊盘距离是影响客户SMT设备能否处理组合产品的关键因素。大多数的高容量个人电子产品制造商拥有可以处理最小0.35mm焊盘距离的SMT设备,但部分工业用客户的SMT设备最小焊盘距离仅能到0.5mm。
FemtoFET的连接盘网格阵列(LGA)封装与硅芯片级封装(CSP)相似,唯一的不同是LGA没有附加锡球。F3 FemtoFET上的镀金leads保留着与TI前代产品F4 FemtoFET一样的0.35mm焊盘距离。这就给使用体积更小产品的F4客户更强的信心,即他们的SMT设备可处理F3 FemtoFET。
为了使FemtoFET能应用到工业用设备,TI同时推出了焊盘距离为0.50mm的F5 FemtoFET系列产品,并将电压范围扩充至60V。了解更多60V F5设备,请阅读我同事Brett Barr的博客文章,“Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET缩小工业设备体积。”
TI推荐使用无铅(SnAgCu)SAC焊锡膏如SAC305用于mtoFET面板安装。你可以选用第三类焊膏,但体积更小的第四类焊锡膏则是更优选择。焊膏应免清洗,且可溶于水。不过,在面板安装之后用焊剂进行清洗仍不失为是个绝妙主意。
使用面板模子在面板上标出将施加焊锡膏的点位。模子的厚度以及开口的长宽是重要的参数。模子最厚应不超过100µm。
低漏电型FemtoFET可用于各类可穿戴设备和个人通讯设备。由于栅极漏电和漏极漏电的单位数仅为纳米安培级,FemtoFET可协助保证您的个人电子设备的充电电池可支撑使用一整天。自2013年以来,FemtoFET产品发行量已超过五亿。这个夏天,我正在长滩岛度假,在我的梦中,全都是这些有着完美焊盘距离的沙粒。更多内容,请点击阅读TI FemtoFET MOSFETS 产品家族

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沙发
Brand2| | 2016-8-19 11:13 | 只看该作者
MOSFET用处很多

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