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高级技术员
使用特权
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坛主
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高级工程师
maychang 发表于 2016-8-24 19:41 源极和漏极到底一样不一样,要看生产工艺。 多数小功率MOS管,源极和漏极是一样的。大功率MOS管则源极漏极 ...
IRFP044N.pdf
2016-8-24 19:46 上传
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摸摸 发表于 2016-8-24 19:45 mos管的源极和漏极的结构在设计上是对称的,但由于为了更适合实际的使用以及更合理的分布电流,晶圆里的S和D ...
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版主
shisizai 发表于 2016-8-24 19:51 嗯嗯,就像你说的那样不能交换使用 那D和G之间的压差范围是不是就和与G和S之间的压差范围一样?体二极管 ...
shisizai 发表于 2016-8-24 19:46 我用的是IRFP044N是一个功率mos管 在手册上我没有找到VGD的要求,是同VGS么? ...
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技术总监
摸摸 发表于 2016-8-24 20:06 好像不是.具体我没怎么研究这个,因为我实际使用中电压不高.
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戈卫东 发表于 2016-8-24 20:22 三个脚的肯定是不一样的。。。。内部连接已经排除了这种可能。 四个脚的,一不一样要看制作工艺。。。。。 ...
maychang 发表于 2016-8-24 20:08 这种功率MOS管源极漏极不对称,从MOS管示意图中有个体内二极管就可以看出来。如果对称,就不可能有这个二 ...
shisizai 发表于 2016-8-24 20:24 是三个角的 我关心的是VDG的耐压值,有没有个标准什么的
戈卫东 发表于 2016-8-24 20:28 保证VGS VDS不出问题就可以了。 VDG不要你管。。。。
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助理工程师
shisizai 发表于 2016-8-24 20:27 是不对称的,但手册里面没有说明VDG的耐压值,难道这个参数不重要么 ...
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资深技术员
shisizai 发表于 2016-8-24 20:23 我这个电路中有可能出现VDG=30V的情况,不知道会不会把管子弄坏……
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