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mos管的源极和漏极到底一不一样？

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shisizai|  楼主 | 2016-8-24 18:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电路, datasheet, sheet, 电压
mos管的Datasheet上一般都说明了VGS的范围是正负20左右，但是没有指明VGD有没有一个限制。
看了网上有人说mos管的源极和漏极的结构是一样的，在电路中甚至可以交换使用。
这是不是意味着VGD的指标和VGS一样？
可是一般VD都靠近VCC，在设计管子电路的时候需不需要考虑过VG的初始电压？

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沙发
maychang| | 2016-8-24 19:41 | 只看该作者
源极和漏极到底一样不一样，要看生产工艺。
多数小功率MOS管，源极和漏极是一样的。大功率MOS管则源极漏极不一样。
具体要看该型号管子的datasheet。

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板凳
摸摸| | 2016-8-24 19:45 | 只看该作者
mos管的源极和漏极的结构在设计上是对称的,但由于为了更适合实际的使用以及更合理的分布电流,晶圆里的S和D未必采用对称设计,另外就是S接到了衬低上,与D级一起产生了体二极管.所以S和D不能交换使用.
而早期的JFET以及现在的部分JFET内部的S没接衬底,G极对S和D效果都一样,这些才能将S和D对调使用.

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eyuge2 2016-8-24 21:16 回复TA
衬底，支持！ 
地板
shisizai|  楼主 | 2016-8-24 19:46 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-8-24 19:41
源极和漏极到底一样不一样，要看生产工艺。
多数小功率MOS管，源极和漏极是一样的。大功率MOS管则源极漏极 ...

我用的是IRFP044N是一个功率mos管
在手册上我没有找到VGD的要求，是同VGS么？

IRFP044N.pdf

106.97 KB

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5楼
shisizai|  楼主 | 2016-8-24 19:51 | 只看该作者
摸摸 发表于 2016-8-24 19:45
mos管的源极和漏极的结构在设计上是对称的,但由于为了更适合实际的使用以及更合理的分布电流,晶圆里的S和D ...

嗯嗯，就像你说的那样不能交换使用
那D和G之间的压差范围是不是就和与G和S之间的压差范围一样？体二极管和这个没关系吧？

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6楼
lihui567| | 2016-8-24 20:05 | 只看该作者
实际应用中这个参数考虑较少。主要是Vgs  极间电容  Rds    Id    Vds  还有跨导Gm

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7楼
摸摸| | 2016-8-24 20:06 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-8-24 19:51
嗯嗯，就像你说的那样不能交换使用
那D和G之间的压差范围是不是就和与G和S之间的压差范围一样？体二极管 ...

好像不是.具体我没怎么研究这个,因为我实际使用中电压不高.

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8楼
maychang| | 2016-8-24 20:08 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-8-24 19:46
我用的是IRFP044N是一个功率mos管
在手册上我没有找到VGD的要求，是同VGS么？
...

这种功率MOS管源极漏极不对称，从MOS管示意图中有个体内二极管就可以看出来。如果对称，就不可能有这个二极管。

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9楼
戈卫东| | 2016-8-24 20:22 | 只看该作者
三个脚的肯定是不一样的。。。。内部连接已经排除了这种可能。
四个脚的，一不一样要看制作工艺。。。。。通常也不会一样。

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10楼
shisizai|  楼主 | 2016-8-24 20:23 | 只看该作者
摸摸 发表于 2016-8-24 20:06
好像不是.具体我没怎么研究这个,因为我实际使用中电压不高.

我这个电路中有可能出现VDG=30V的情况，不知道会不会把管子弄坏……

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11楼
shalixi| | 2016-8-24 20:23 | 只看该作者
按照Datasheet的要求去做吧，VGS的范围是正负20左右，差不多是极限值了，实际使用要小好多，是根据开关速度，导通电阻等定的。

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12楼
shisizai|  楼主 | 2016-8-24 20:24 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-24 20:22
三个脚的肯定是不一样的。。。。内部连接已经排除了这种可能。
四个脚的，一不一样要看制作工艺。。。。。 ...

是三个角的
我关心的是VDG的耐压值，有没有个标准什么的

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13楼
shisizai|  楼主 | 2016-8-24 20:27 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-8-24 20:08
这种功率MOS管源极漏极不对称，从MOS管示意图中有个体内二极管就可以看出来。如果对称，就不可能有这个二 ...

是不对称的，但手册里面没有说明VDG的耐压值，难道这个参数不重要么

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14楼
戈卫东| | 2016-8-24 20:28 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-8-24 20:24
是三个角的
我关心的是VDG的耐压值，有没有个标准什么的

保证VGS VDS不出问题就可以了。
VDG不要你管。。。。

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eyuge2 2016-8-24 21:19 回复TA
支持 
15楼
shisizai|  楼主 | 2016-8-24 21:28 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-24 20:28
保证VGS VDS不出问题就可以了。
VDG不要你管。。。。

这么说我就放心了

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16楼
bald| | 2016-8-24 22:00 | 只看该作者
有Vgs，有Vds，Vdg自己算一下

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GavinZ + 5 是啊，楼主想啥呢
17楼
maychang| | 2016-8-24 22:01 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-8-24 20:27
是不对称的，但手册里面没有说明VDG的耐压值，难道这个参数不重要么

...

你只要保证VGS和VDS不超就够了。这两项都是标明了的。

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18楼
aaa制| | 2016-8-25 09:32 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-8-24 20:23
我这个电路中有可能出现VDG=30V的情况，不知道会不会把管子弄坏……

只要按照手册里的要求就行，有用过高压的MOS管VDS差不多500V，VGS是12V，没问题的。不放心的话搭个小电路实验一下就好了

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19楼
ANDY-张| | 2016-8-25 09:51 | 只看该作者
摸摸 发表于 2016-8-24 19:45
mos管的源极和漏极的结构在设计上是对称的,但由于为了更适合实际的使用以及更合理的分布电流,晶圆里的S和D ...

说得对

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20楼
robter| | 2016-8-25 11:26 | 只看该作者
应该是不一样的

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