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mos管驱动电路分析

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wxhwdh|  楼主 | 2016-9-3 14:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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maychang| | 2016-9-3 16:03 | 只看该作者
“.R3是否必须?”
不是必须,但最好保留。

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maychang| | 2016-9-3 16:03 | 只看该作者
这是个设计得很糟糕的电路,没有必要深入研究。

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wxhwdh|  楼主 | 2016-9-3 16:33 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-9-3 16:03
这是个设计得很糟糕的电路,没有必要深入研究。

完美的电路也是改进出来的,不分析糟糕的电路怎么改进

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wxhwdh|  楼主 | 2016-9-3 16:34 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-9-3 16:03
“.R3是否必须?”
不是必须,但最好保留。

R3在此的作用是什么啊

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captzs 2016-9-3 21:42 回复TA
R3是下拉电阻,许多帖都提到,百度也行。 
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wznhust| | 2016-9-3 17:05 | 只看该作者
把简单的事情搞复杂了

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maychang| | 2016-9-3 17:14 | 只看该作者
wxhwdh 发表于 2016-9-3 16:34
R3在此的作用是什么啊

“完美的电路也是改进出来的,不分析糟糕的电路怎么改进”
你自己慢慢分析改进R3的作用,止于至善吧。

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wxhwdh|  楼主 | 2016-9-3 17:18 | 只看该作者
wznhust 发表于 2016-9-3 17:05
把简单的事情搞复杂了

怎么理解啊

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huarana| | 2016-9-3 21:13 | 只看该作者
只需要Q1和Q4就行了 ,中间两个浪费

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captzs| | 2016-9-3 21:29 | 只看该作者
楼主后面负载如何?如果可以,Q4一个就行,或者楼上所说Q1Q4,省钱省事。

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charrijon| | 2016-9-3 23:16 | 只看该作者
三极管的速度能否跟得上,打个问号

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airwill| | 2016-9-4 06:39 | 只看该作者
我倒是关心 Q3 能否导通了, 画个 NMOS 管, 却写的 MOSFET-P.
我非常赞成 3 楼的意见. 着电路搞成这样有啥好研究的, 在这里纠结简直是浪费时间.

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lisasa| | 2016-9-4 07:55 | 只看该作者
这个电路楼主没给全,所以大家都以为简单问题复杂化了。其实这个电路可能是BLDC电机的高端mos管驱动。3.3v单片机控制15v驱动的mos管电路,而且是不共地的电路。建议楼主去分析一下电动车控制器,变频器的mos或igbt的驱动电路。

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nstel| | 2016-9-4 08:36 | 只看该作者
设计错误

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kingTek| | 2016-9-4 09:12 | 只看该作者
设计得好不如卖得好,有几个消费者是行家呢,
所以这电路只要凑合能干活,一样地忽悠,一样地卖。

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dontium| | 2016-9-4 13:06 | 只看该作者
这种电路,驱动速度是非常低的。

这种形式的电路,可以用两个管子,Q2用PNP,可以达到同样的目的,管子少了,速度也就高了。

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lornheart| | 2016-9-4 21:56 | 只看该作者
R3是为三极管结电容快速放电

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zhuzhenqiu| | 2016-9-5 09:01 | 只看该作者
Q4根本导通不了。

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wxhwdh|  楼主 | 2016-9-5 17:48 | 只看该作者
lisasa 发表于 2016-9-4 07:55
这个电路楼主没给全,所以大家都以为简单问题复杂化了。其实这个电路可能是BLDC电机的高端mos管驱动。3.3v ...

其实我在意的是Q1和Q2,这种是网上找来的,实际电路是Q1,Q2和图上一样,但是Q2后是驱动高端mos,我的问题其实是,Q1Q2是否工作在饱和区,如果是在饱和区那么驱动mos管的电流是不是很小?,这里 mos的开关频率大约2-4kHz,高端驱动自举怎么设计?以及是否需要驱动电阻等

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hrg13579| | 2016-9-6 10:06 | 只看该作者
R3可以防止Q2误导通,Q3有R4限流,Q3为低电平触发

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