本帖最后由 小研究 于 2016-9-5 14:44 编辑
如图，是一个可控硅的触发电路，使用了已经四五年了。这四五年中发生了大概有5次非常偶然的情况，就是设备长时间放置后（可能半个月，也有时候几个月）可控硅就莫名其妙的触发不了，捣鼓个几十分钟，可能就莫名其妙的又好了，好了之后就持续正常，除非再次长时间不带电放置。
简单说一下这个电路：
1 可控硅被触发后释放外面的大容量的电解电容，可控硅得阴极与本图中的光耦右侧的地是同一个地。
2 曾经将540拿掉过只用9540，电路可行，但由于情况的偶然性，不能形成对比、说明问题。
3 C3作为驱动可控硅门极的储能电容，电解电容。
4 起初曾经怀疑是外置的大容量电解电容因为长久放置而临时失效，但最近的一次偶然中用电桥测量发现该电解电容的容量并没有变化。因此可以排除是外置的大容量的电解电容的问题。同一次的测量中，光耦外部无输入时，光耦右侧（即MOS管的门极）电压为13V左右，有输入时基本拉到0，正常。
所以，我想问的是：
1 电解电容临时失效，一般是需要放置多久之后？
2 该电路中有没有其他隐患点存在？导致可能发生类似静电或电荷积累的现象存在？
谢谢。
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楼主
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您的描述，应该是电解电容C1.C3性能不良。