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请教一下：这个电路,NMOS的S电压为何能高于G?

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yun1009|  楼主 | 2016-9-7 12:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 电压, 电路, Multi, multisim
一个特殊运用想用这个电路，本以为NMOS能导通就一定会G大于S，S能被限制3.3-Vgs。但是用Multisim仿真了一下，却发现S高于G了.并随着D端电压升高还会升高，换别的nmos也一样。 哪位前辈能解释一下吗 ？

nmos.jpg (223.61 KB )

nmos.jpg

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沙发
shalixi| | 2016-9-7 13:09 | 只看该作者
R1拿掉，再看看。

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板凳
lihui567| | 2016-9-7 13:23 | 只看该作者
这是啥电路啊R1电阻500k

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地板
yun1009|  楼主 | 2016-9-7 13:29 | 只看该作者
R1是我模拟单片机的io口内阻，S端接单片机输入
其实设计的目的就是外面12V那端电压无论多少（5~12V），S端电压能限制在3.3V一下（VG-VGSth），
现在看来不行，但是不知道为何会这样。

当然不仅仅为了实现以上12V转3.3的功能，不然其他电路也很容易实现。现在仅对此电路为何不行感觉很困惑。

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5楼
shalixi| | 2016-9-7 13:36 | 只看该作者
本帖最后由 shalixi 于 2016-9-7 13:43 编辑

本以为NMOS能导通就一定会G大于S，你的以为没有错。
却发现S高于G了.并随着D端电压升高还会升高，换别的nmos也一样。这个也符合事实，一个原因里面有二极管，二极管有反向电流，D越高，这个反向电流越大，R1的压降也越大，Vgs要另外算了，这里的V3是3.3V，他不是Vgs。

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6楼
yun1009|  楼主 | 2016-9-7 13:58 | 只看该作者
多谢 shalixi
看mos管数据手册的确有ua级别的反向漏电流Idss。如果这样的话，直接接单片机io，因为电流小，即使电压高于3.3V，也不会损坏io口吧？？

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7楼
Lgz2006| | 2016-9-7 16:29 | 只看该作者
依你的功能要求，实现起来倒也不难。
1.S端对地另接个小点儿的电阻；
2.SGD分别对应接ebcN管，搞个射随。

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8楼
robter| | 2016-9-8 08:41 | 只看该作者
这个没遇到过，学习了

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9楼
xygyszb| | 2016-9-8 09:21 | 只看该作者
单片机引脚可以靠电阻和稳压管来钳位。
4V是由于漏电流引起的。

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10楼
GavinZ| | 2016-9-8 09:53 | 只看该作者
因为你用的NMOS的漏电流大于MCU的漏电流。
最省事的办法就是IO并联电阻。

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11楼
llyyff1636| | 2016-9-8 12:48 | 只看该作者
看样子你这个漏电流比较大，可以选用其他的MOS替换

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