高频宽带放大电路

发表于 2010-3-22 19:20

上面红笔的部分不理解，这之间有什么联系呢？希望高手指点，谢谢！

发表于 2010-3-22 20:57

表面看上去是增大 Ie 的工作点，实际是在降低输入和输出阻抗（减小Re和Rc）。这样有利于其频率特性的扩展。

发表于 2010-3-24 15:14

本帖最后由 cabbageybc 于 2010-3-24 15:22 编辑

2# HWM 发射极接了旁路电容那输入阻抗不是 r1 r2 和基极电阻rbe确定了吗？不是固定了吗？还有增大 Ie 的工作点和降低输入和输出阻抗（减小Re和Rc）是怎么联系在一起的？还有降低输入和输出阻抗与频率特性的扩展又是什么关系，望指点，谢谢

发表于 2010-3-24 15:35

个人理解：Ic比较大，集电极电阻（200欧那个）就会比较小，而集电极电阻是影响共射极放大电路的带宽的一个重要因素，集电极电阻越小，高频的带宽就越宽，但是这是在牺牲电压增益的前提下的。可以参考一下模电书上“共射放大电路的高频响应”和“密勒效应”那部分。

发表于 2010-4-4 19:44

虽然还没搞懂，就当是经验记住了，模拟电路号多是凭经验的 :)

发表于 2010-4-7 11:26

4楼正解

发表于 2010-4-7 11:26

主要是mile电容的作用

发表于 2010-4-7 12:51

因Ie的增大，Rbe的阻值会变小，同时输入的电阻为Ri={Rbb+(3.3k//1.6k)}//Rbe,Rbe变小了，导致输入的电阻变小；由上限频率Fh=1/(2*3.14*Ri*C)，可知Fh变大了。

发表于 2010-4-7 22:19

发表于 2010-4-8 16:00

好清楚的晶体管电路设计。电子书。。麻烦楼主上传一下。

高频宽带放大电路

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