调查显示，美国每年因静电放电造成的直接经济损失高200多亿美元，静电造成的破坏相当于使美国每年发生一次“9.11”事件或每年发生一次洛杉矶大地震。
在即将于4月9日在深圳会展中心牡丹厅举行的第四届电路保护和电磁兼容研讨会上（立即注册预订坐席：http://www.cntronics.com/public/seminar/emc），上海光宇睿芯微电子有限公司（Sino-IC）CEO刘健朝将在会议上介绍半导体过压保护器件解决方案，帮助工程师朋友应对包括ESD在内的各种过压设计挑战。
刘健朝表示，浪涌电压的来源通常有四类：雷击、工业过电压、静电感应（ESD）、核磁辐射。其中ESD是最常见的，也是工程师朋友最为关注的设计问题。据测试，人体的电容量大约为100 至300 pF，在地毯上行走大约会产生25-40 kV的高压，在接触时约会产生5 到15 kV / 25 ns的放电，对极为敏感的集成电路及容易产生干扰或破坏。ESD的失效机理包括：二次击穿、金属镀层熔融、介质击穿、气弧放电、表面击穿、体击穿等。
根据IEC61000-4-2、GB/T 17626.2.1998等相关ESD国际、国家标准，并针对不同电路环境和IC的耐压要求，不同的电子系统需要多种规格的ESD保护器件，以普通的手机为例，Sino-IC能提供各种TVS/ESD保护器件，提供ESD和EMI的整合解决方案。手机电路中需要进行电路保护的部位包括：
- SIM卡插座与CPU读卡电路
- 键盘电路
- 耳机、麦克风电路
- 电源接口
- 数据接口
- USB接口
- 彩屏LCD驱动接口
刘健朝透露：“我们的齐纳二极管在去年进入了联发科方案手机主板的推荐BOM清单，这对公司来说是个很大的突破，对于走大批量出货有很大的帮助。”同时刘总还透露：“除了进一步完善电路保护器件产品线，从今年起我们还将产品线扩展到各种分立器件，最终目标是打造成像On Semi、Vishay那样的分立器件大厂。”
除了Sino-IC参与会议，我们还将看到世界三大保护器件厂商Littelfuse、Bourns和AEM的专家参与会议讲座，将为系统工程师提供全面的电路保护方案。立即注册预订坐席：http://www.cntronics.com/public/seminar/emc |
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