1
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初级技术员
使用特权
1205
3625
中级工程师
51
3185
9660
禁止发言
151
1172
4928
dontium 发表于 2016-9-25 11:56 由于三极管和MOS管的原理完全不一样, 三极管有载流子的存储效应,限制了它的速度提高。而MOS根本不存在这 ...
7772
2万
技术总监
100
3万
14万
坛主
haohao1207day 发表于 2016-9-25 15:52 仿真选了一个2N7002,输入电容 27pf,导通延迟和关断延迟都不到 5ns ,但是仿真起来都达不到1M hz ,是驱 ...
135
2785
8755
技术达人
69
216
中级技术员
105
478
1425
助理工程师
coody 发表于 2016-9-25 16:24 你至少要10ns内八栅极的电充满或放掉,假设栅压为10V,MOSFET的输入电容是1000pF,则你至少要保证驱动电流=( ...
电子0 发表于 2016-10-2 22:18 请问你这个是什么公式?
maychang 发表于 2016-10-3 06:28 这书念得只知道背公式了。 这是电流的定义和电容量的定义。
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高级技术员
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实习生
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