MOSFET功率管深受大家追捧与喜爱，在这我分享下我对MOSFET的理解以及用过的IR2110驱动的使用经验，欢迎大家讨论交流！
功率MOSFET的工作原理:
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压VGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面
当VGS大于UT(开启电压或阈值电压)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
功率MOSFET的驱动电路:
在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。
IR2110内部功能由三部分组成：逻辑输入;电平平移及输出保护。如上所述IR2110的特点，可以为装置的设计带来许多方便。尤其是高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。
4路SPWM信号经过开关管驱动芯片IR2110驱动控制H桥MOSFET的开关管工作。主电路存在两对桥臂，由于构造和驱动完全相同，只分析其中一对桥臂的驱动电路，如图2所示。DSP的两路PWM输出引脚与IR2110的HIN、LIN引脚相连，系统采用快恢复二极管,用来防止自举电容两端放电。
图3 电路拓扑
电路工作原理：IR2110的VS脚接在H桥桥臂中点a，当开关管S1、S4导通时，a处即VS引脚变为高电平，此时C1通过VB放电，当HIN有信号时，HO引脚输出驱动信号；当开关管S2、S3导通时，a端即VS脚为低电平，电源通过D1为C1充电，当LIN有信号时，LO引脚输出驱动信号。
通过DSP编程产生两路互补对称且具有死区的PWM波，经驱动电路IR2110驱动放大后波形图，如图4所示。驱动频率为10KHz，信号幅值为15V，上下桥臂驱动信号互补对称有明显死区。
楼主
标题置顶
标题高亮
已补图
