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Nivans|  楼主 | 2016-10-14 21:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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airwill| | 2016-10-14 21:40 | 只看该作者
这是单纯自感的情况, 如果有互感的情况下, 就不一定出现这样的情况了.
因为 L1. L3 引起的磁场变化可以通过 L3 来补偿

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Nivans|  楼主 | 2016-10-14 22:08 | 只看该作者
airwill 发表于 2016-10-14 21:40
这是单纯自感的情况, 如果有互感的情况下, 就不一定出现这样的情况了.
因为 L1. L3 引起的磁场变化可以通过 ...

但是L1是有电感量的呀。,并且L3没接有负载

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PowerAnts| | 2016-10-14 22:13 | 只看该作者
Nivans 发表于 2016-10-14 22:08
但是L1是有电感量的呀。,并且L3没接有负载

在工艺上, L1, L2是紧偶合的, 漏感很小. 某一管关闭时刻, 另一管所接的一个线圈产生互感电动势, 那一侧的MOSFET的体二极管导通, 进行磁复位. L1, L2之间的漏感比较小, 漏感能量被Coss吸收, 不足以产生破坏性的尖峰.

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Nivans|  楼主 | 2016-10-14 22:15 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2016-10-14 22:13
在工艺上, L1, L2是紧偶合的, 漏感很小. 某一管关闭时刻, 另一管所接的一个线圈产生互感电动势, 那一侧的 ...

那么如果MOS管换成早期的功率BJT呢?这个怎么解释?BJT的CE极间可没有寄生二极管啊。

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PowerAnts| | 2016-10-14 22:19 | 只看该作者
Nivans 发表于 2016-10-14 22:15
那么如果MOS管换成早期的功率BJT呢?这个怎么解释?BJT的CE极间可没有寄生二极管啊。 ...

BJT的, 若次级允许开路, 必须在BJT上并联阻尼二极管

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Nivans|  楼主 | 2016-10-14 22:22 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2016-10-14 22:19
BJT的, 若次级允许开路, 必须在BJT上并联阻尼二极管

泪流满面,终于明白了。

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戈卫东| | 2016-10-14 22:30 | 只看该作者
而且功率管是可以承受一定的击穿能量的

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Nivans|  楼主 | 2016-10-14 22:56 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-10-14 22:30
而且功率管是可以承受一定的击穿能量的

容易坏

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戈卫东| | 2016-10-14 23:06 | 只看该作者

每次能量不超过额定值 温升也不超过额定值就没有问题

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PowerAnts| | 2016-10-15 10:45 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-10-14 23:06
每次能量不超过额定值 温升也不超过额定值就没有问题

MOSFET不存在二次击穿, 小于重复脉冲耐能的过压确实没有问题, 不过BJT可没这本事

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Siderlee| | 2016-10-15 14:41 | 只看该作者
是仿真结果?
建模没有考虑寄生参数,

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mcu5i51| | 2016-10-15 17:09 | 只看该作者
电路不全,所以不是特殊情况没有人会这样用

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