继电器改为可控硅？？

发表于 2010-3-25 22:13

大家好，请问此处的继电器SSR可否改为双向可控硅控制呢？ file:///C:/Documents

发表于 2010-3-25 22:17

http://file///C:/Documents
又见硬盘图

发表于 2010-3-25 22:23

发表于 2010-3-25 22:24

电路图如上，等候大家回答，谢谢...

发表于 2010-3-25 22:37

不好意思，上面那个电路图画错了，重发一个，等待大家复了！

发表于 2010-3-25 22:43

汗！有点手忙脚乱，又发错了，占用大家时间，重发，狂汗！

发表于 2010-3-26 17:26

你不要引用了，直接在发帖下面上传上来就可以了。

登录 · 发表于 2010-3-26 20:08

电路图

发表于 2010-3-26 20:10

NE5532大哥，电路图如上，麻烦你问诊一下，谢谢！

发表于 2010-3-26 20:18

应该可以吧，最近我也想用可控硅，呵呵

发表于 2010-3-26 20:20

降压用的是电容降压，后面的输出电流能达到要求吗？

发表于 2010-3-26 20:22

可以啊，输出有0.25A。

发表于 2010-3-26 20:24

我用上面的接法，测试了几次，可控硅就击穿了，本想加RC吸收网络的，手头找不到合适的电容。

发表于 2010-3-26 20:24

不用稳压管吗？就这样直接输出？

发表于 2010-3-26 20:28

13楼：
晶闸管用的什么型号？
你这个电路，晶闸管导通瞬间电流很大，可达上百安培，恐怕“击穿”的原因在这里。另外，晶闸管的触发方式也有讲究的，不正确的触发也可能烧管子。

发表于 2010-3-26 20:31

用的是BTA136 600E

发表于 2010-3-26 20:41

有没有什么办法解救呢？

发表于 2010-3-26 20:43

我也想知道

登录 · 发表于 2010-3-26 21:49

导通时的电流脉冲持续一般数ms，恰在该型号可承受的边缘。
可以与晶闸管串联一个电阻，阻值三欧五欧即可，但此电阻瞬间功率很大，最好用线绕电阻或水泥电阻，持续功率很小，所以电阻功率可以很小，实际上1W即可。

发表于 2010-3-26 22:26

谢谢 maychang！

RE: 继电器改为可控硅？？