利用场效应管做一个双向开关

登录 · 发表于 2010-3-26 11:47

本帖最后由 sunshine24 于 2010-3-26 12:02 编辑

a处: pwm信号
b。c处：相当于双向开关
电路要求：高频双向开关
请问：a。d处的电阻值取多少（还需要电容等元件吗）
其他地方还需要附加电路吗？
最好能附上各个元件的型号，谢谢！
感激不尽！

补充：图中暂时用三极管表示场效应管

发表于 2010-3-26 11:53

楼主此图，不是场效应管，为什么说是场效应管呢？
此图无法工作。

发表于 2010-3-26 12:00

用这个代表场效应管，呵呵
请问你对这个电路还有什么看法吗？谢谢！

发表于 2010-3-26 12:24

“这个”无法代表场效应管。
用场效应管，也不能两支管子反向并联，因场效应管有体内二极管。

sunshine24 · 发表于 2010-3-26 12:27

两个场效应管反向串联即可, 我用的很多.

彭建学上海

发表于 2010-3-26 23:04

结型场效应管倒是有这种用法

发表于 2010-3-27 00:33

锂电池内部的保护板上面，就有双向开关电路，是用两个PMOS管串联的。

发表于 2010-3-27 00:48

两个NMOS也行，两个PMOS也行，至于选哪种还要看信号幅度和控制信号的幅度。

发表于 2010-3-27 12:43

本帖最后由 sunshine24 于 2010-3-27 12:55 编辑

6# 能具体说下型号吗，要求开关的切换频率比较高哦， 还有需要些附加的电阻电容的参数 谢啦！

发表于 2010-3-27 12:45

7# 结缘栅型不行吗，能说下原因吗

发表于 2010-3-27 12:48

9# 控制信号pwm由单片机直接产生，周期很短；这个电路需要什么改进的吗？具体参数能帮忙计算下吗？谢谢！

发表于 2010-3-27 23:27

单片机的速度相对于开关速度来说可能足够慢了。计算开和关的时间要看你的R1的大小，还要考虑MOS的结电容，Vgs的开关电压。根据R，C，和MOS管的开关电压，采用积分方式可以相对计算出打开和关闭的时间。电阻越小，MOS的结电容越小，且Vgs开关电压越低，开关速度就越快。

发表于 2010-3-28 09:36

13# 受教了，3q！

利用场效应管做一个双向开关

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