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MOS管外围电路原理

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shaorc|  楼主 | 2016-11-1 19:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如图所示,MOS管驱动芯片IR2110S和MOS管连接的电路,D3和R3的并联作用是什么?
是与D1和R1的作用一样吗?之前才明白D1和R1是起到让MOS管慢开快关的作用,所以提此问
还有那个0.01uf的电容在这儿是去耦吗?
希望以上问题可以说的详细,谢谢

20161101_140358.jpg (361.62 KB )

20161101_140358.jpg

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沙发
Siderlee| | 2016-11-1 22:03 | 只看该作者
搜  RCD吸收

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板凳
lihui567| | 2016-11-2 08:40 | 只看该作者
楼上说得对

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地板
cheaque| | 2016-11-2 17:30 | 只看该作者
D3和R3是充、放电型尖峰吸收电路,0.01uf是放电吸收电容。大哥,不得不吐槽一下,你的Mos管画成了三极管,不伦不类额……

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longquanshuang| | 2016-11-2 20:15 | 只看该作者
Mos管画成了IGBT

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金则立则翔| | 2016-11-3 16:02 | 只看该作者

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shuai37zhang| | 2016-11-4 22:52 | 只看该作者

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yulin0668| | 2016-11-9 11:26 | 只看该作者
图居然打不开????

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宋业科| | 2016-11-12 02:39 | 只看该作者
场效应三极管画成门控三极管。都是三极管。

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